[发明专利]图像传感器的单位像素及其受光元件有效
申请号: | 201580037458.7 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN106663689B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 金勋 | 申请(专利权)人: | 金勋 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京华旭智信知识产权代理事务所(普通合伙) 11583 | 代理人: | 冯云 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 单位 像素 及其 元件 | ||
1.一种灵敏度调整受光元件,其特征在于,包括:
吸收光的受光部;
通过氧化膜与所述受光部分离的源极和漏极;
形成于所述源极与漏极之间并在所述源极与漏极之间产生电流流动的通道;及
向所述受光部施加电压的灵敏度调整终端,
所述受光部被掺杂第1类杂质,所述源极和漏极被掺杂第2类杂质,通过由入射到所述受光部的光激发的电子隧穿到所述源极或漏极而产生的所述受光部的电荷量变化来控制所述通道的电流流动,并且控制通过所述灵敏度调整终端所施加的电压,以调整所述通道的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的灵敏度调整受光元件,其特征在于,
通过调整由所述灵敏度调整终端所施加的电压来调整所述通道的费米能级与本征能级的间隔,从而调整所述阈值电压。
3.根据权利要求1所述的灵敏度调整受光元件,其特征在于,
所述源极和漏极形成于被掺杂有第1类杂质的阱上,所述阱为浮动状态。
4.根据权利要求1所述的灵敏度调整受光元件,其中,
所述灵敏度调整终端调整施加到所述受光部的电压的大小来调整所述受光部的灵敏度。
5.根据权利要求1所述的灵敏度调整受光元件,其中,
所述隧穿在所述源极和漏极中的任意一个与所述受光部之间的氧化膜区域中产生。
6.根据权利要求1所述的灵敏度调整受光元件,其中,
所述灵敏度调整终端向所述受光部施加设定电压以上的电压以使所述受光部复位。
7.一种图像传感器的单位像素,其中,包括:
受光元件,利用由入射光引起的电荷量的变化而产生电流流动;及
选择元件,将在所述受光元件中产生的电流输出到单位像素输出端,
所述受光元件包括:吸收光的受光部;通过氧化膜与所述受光部分离的源极和漏极;形成于所述源极和漏极之间并在所述源极与漏极之间产生电流流动的通道;及向所述受光部施加电压的灵敏度调整终端,所述受光元件是根据由入射到所述受光部的光激发的电子隧穿到所述源极或漏极而引起的所述受光部的电荷量的变化,控制所述通道中的电流流动,并且所述受光元件调整通过所述灵敏度调整终端所施加的电压来调整所述通道的阈值电压。
8.根据权利要求7所述的图像传感器的单位像素,其中,
所述选择元件包括:分别连接于所述受光元件和单位像素输出端的漏极和源极;及从外部施加选择信号的栅极,根据所述施加的选择信号执行切换操作。
9.根据权利要求7所述的图像传感器的单位像素,其中,
所述受光元件调整通过所述灵敏度调整终端所施加的电压,以通过调整所述通道的费米能级与本征能级的间距来调整阈值电压。
10.根据权利要求7所述的图像传感器的单位像素,其中,
所述受光元件的源极和所述选择元件的漏极形成于同一有源区域上。
11.根据权利要求7所述的图像传感器的单位像素,其中,
所述受光元件根据入射光量调整向所述灵敏度调整终端施加的电压,以抑制基于光电流量的急剧增加而引起的影像饱和。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的