[发明专利]提供电子器件的方法及其电子器件有效
申请号: | 201580038025.3 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN106663640B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | E.霍华德;N.穆尼扎;P.伊;M.马尔斯 | 申请(专利权)人: | 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提供 电子器件 方法 及其 | ||
某些实施例包括一种方法。这种方法可以包括:提供载体衬底;在该载体衬底上提供粘接改性层;提供器件衬底;以及将该器件衬底与该载体衬底联接在一起,当该器件衬底与该载体衬底联接在一起时,该粘接改性层位于该器件衬底与该载体衬底之间。在这些实施例中,该粘接改性层可以被配置成使得该器件衬底用第一粘合力通过该粘接改性层与该载体衬底间接地联接,该第一粘合力大于在没有该粘接改性层的情况下该器件衬底与该载体衬底相联接所用的第二粘合力。还披露了相关方法和器件的其他实施例。
关于由联邦政府赞助的研究或开发的声明
本发明是在陆军研究办公室授予的W911NF-04-2-0005下在政府支持下作出的。政府在本发明中具有某些权利。
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年5月13日提交的美国临时专利申请号61/992,799的利益。美国临时专利申请号61/992,799通过引用以其全部结合于此。
技术领域
本发明总体上涉及制造电子器件,并且更具体地涉及制造在柔性衬底上具有一个或多个半导体元件的电子器件以及由此制造的电子器件。
背景技术
在电子设备行业中,柔性衬底作为用于电子器件的基底正在快速变得越来越受欢迎。柔性衬底可以包括多种多样的材料,比如像以下各项中的任一项:大量的塑料、金属箔和玻璃(例如,氟硅酸盐玻璃、硼硅玻璃、康宁(Corning)玻璃、WillowTM玻璃、和/或Vitrelle玻璃等)。一旦在柔性衬底的表面上形成了一个或多个所期望的半导体元件,柔性衬底可以附接到最终产品上或者结合到进一步的结构中。这种产品或结构的典型示例是平板显示器上的有源矩阵、零售商店中的各种商业产品上的RFID(射频识别)标签、多种传感器等。
在本领域中需要开发一种用于制造具有柔性衬底的电子器件的方法,该方法允许对电气特性进行改进,比如像对参数特性和/或使用寿命进行改进,并且允许减小弓弯、翘曲、和/或变形。
附图说明
为方便进一步描述这些实施例,提供了如下附图,在附图中:
图1展示了提供半导体器件的方法的实施例的流程图;
图2展示了根据图1的实施例的提供半导体器件的载体衬底的示例性活动;
图3展示了根据图1的实施例的在载体衬底的至少一部分上提供半导体器件的粘接改性层的示例性活动;
图4展示了根据实施例的在载体衬底上提供粘接改性层之后的半导体器件的局部横截面图;
图5展示了根据实施例的半导体器件的局部横截面图,其中,已经通过蚀刻移除了半导体器件的粘接改性层的中央部分,以便留下粘接改性层的周边部分并且暴露出载体衬底;
图6展示了根据图4的实施例的在载体衬底上和粘接改性层上提供粘接剂之后的半导体器件的局部横截面图;
图7展示了根据图1的实施例的将器件衬底与载体衬底联接在一起的示例性活动;
图8展示了根据图7的实施例将器件衬底直接粘合到粘接改性层上的示例性活动;
图9展示了根据图5的实施例的在将器件衬底直接粘合到粘接改性层上并且粘合在载体衬底上之后的半导体器件的局部横截面图;
图10展示了根据图7的实施例的通过粘接剂将器件衬底粘合到粘接改性层上的示例性活动;
图11展示了根据图4的实施例在将器件衬底通过粘接剂粘合到粘接改性层上并且将其粘合在载体衬底上之后的半导体器件的局部横截面图;
图12展示了根据图4的实施例的在器件衬底上提供一个或多个半导体元件之后的半导体器件的局部横截面图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会,未经代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造