[发明专利]高分子量聚硅烷及其制造方法

权利要求书

1.一种聚硅烷的制造方法，所述聚硅烷为环戊硅烷的聚合物，所述制造方法包括在用官能化聚苯乙烯微胶囊化的催化剂成分的零价钯络合物或二价钯化合物的存在下进行环戊硅烷的聚合，其中所述聚硅烷具有5000～8000的重均分子量。

2.根据权利要求1所述的聚硅烷的制造方法，其中，所述催化剂成分包括用所述官能化聚苯乙烯微胶囊化的所述零价钯络合物。

3.根据权利要求2所述的聚硅烷的制造方法，其中，所述零价钯络合物为四(三苯基膦)钯(0)络合物。

4.根据权利要求1所述的聚硅烷的制造方法，其中，所述官能化聚苯乙烯为含有末端具有羟基的聚氧化乙烯基的聚苯乙烯、或者含有二苯基膦基的聚苯乙烯。

5.根据权利要求2所述的聚硅烷的制造方法，其中，所述官能化聚苯乙烯为含有末端具有羟基的聚氧化乙烯基的聚苯乙烯、或者含有二苯基膦基的聚苯乙烯。

6.根据权利要求3所述的聚硅烷的制造方法，其中，所述官能化聚苯乙烯为含有末端具有羟基的聚氧化乙烯基的聚苯乙烯、或者含有二苯基膦基的聚苯乙烯。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的制造方法，还包括

经过下述工序而得到环戊硅烷，

使由式(1)表示的环状硅烷在卤化铝的存在下在有机溶剂中与卤化氢反应，得到由式(2)表示的环状硅烷的工序，

[化学式1]

(SiR¹R²)n 式(1)

其中，式(1)中，R¹和R²分别表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、或被取代的或未被取代苯基，n表示4～6的整数，其中，R¹和R²不同时为氢原子，

[化学式2]

(SiR³R⁴)n 式(2)

其中，式(2)中，R³和R⁴分别表示卤原子，n表示4～6的整数；以及

用氢或氢化锂铝对由式(2)表示的环状硅烷进行还原而得到由式(3)表示的环状硅烷的工序，

[化学式3]

(SiH₂)n 式(3)

其中，式(3)中，n表示4～6的整数，并且所述由式(3)表示的环状硅烷包括所述环戊硅烷。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，式(1)中，R¹和R²均为苯基。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，式(2)中，R³和R⁴均为氯原子。

10.根据权利要求7所述的制造方法，其中，式(2)中，R³和R⁴均为氯原子。

11.根据权利要求7所述的制造方法，其中，由式(3)表示的环状硅烷含有80摩尔％以上的环戊硅烷。

12.一种聚硅烷的制造方法，所述聚硅烷为环戊硅烷的聚合物，所述制造方法包括在固定于官能化聚苯乙烯的催化剂成分的钯的存在下进行环戊硅烷的聚合，其中所述聚硅烷具有5000～8000的重均分子量并且所述官能化聚苯乙烯为含有末端具有羟基的聚氧化乙烯基的聚苯乙烯、或者含有二苯基膦基的聚苯乙烯。

13.根据权利要求12所述的聚硅烷的制造方法，其中，所述钯为钯化合物或钯络合物。

14.根据权利要求13所述的聚硅烷的制造方法，其中，所述钯络合物为零价钯络合物，并且所述钯化合物为二价钯化合物。