[发明专利]电子部件及其制造方法有效
申请号: | 201580038385.3 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN106664805B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 小池淳一;安藤大辅;须藤祐司 | 申请(专利权)人: | 材料概念有限公司 |
主分类号: | H01L21/441 | 分类号: | H01L21/441 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子部件,其是在无机材料基板上具有铜电极的电子部件,其中,在所述基板与所述铜电极的界面处具备含有铜、锰、硅及氧的界面层,所述界面层的厚度为5nm以上且150nm以下,所述界面层中分散并包含有具有面心立方结构的铜晶体粒子,所述界面层与所述铜电极的每4mm2面积的密合强度为10N以上。
2.如权利要求1所述的电子部件,其中,所述界面层中,在比其厚度的中央更靠近所述铜电极侧的第一区域中,以原子%表示,至少锰的平均浓度高于铜的平均浓度。
3.如权利要求1或2所述的电子部件,其中,所述界面层中,在比其厚度的中央更靠近所述基板侧的第二区域中,以原子%表示,铜的平均浓度高于锰的平均浓度及硅的平均浓度。
4.如权利要求1或2所述的电子部件,其中,比所述界面层的厚度的中央更靠近所述铜电极侧的第一区域具有以锰为主体的氧化物,比所述界面层的厚度的中央更靠近所述基板侧的第二区域具有以锰及硅为主体的氧化物。
5.如权利要求1或2所述的电子部件,其中,与比所述界面层的厚度的中央更靠近所述铜电极侧的第一区域相比,比所述界面层的厚度的中央更靠近所述基板侧的第二区域含有更多的晶体粒子。
6.如权利要求1或2所述的电子部件,其中,所述铜电极不含铅玻璃成分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于材料概念有限公司,未经材料概念有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580038385.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:智能看护机器人
- 下一篇:监控摄像机外壳(GM‑11)
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造