[发明专利]宽带低功率放大器

权利要求书

1.一种电路，包括：

一对差分晶体管，其包括具有第一输出端子的第一晶体管并且包括具有第二输出端子的第二晶体管；

耦合至所述第一输出端子的第一负载电阻器；

耦合至所述第二输出端子的第二负载电阻器；

配置成将差分输出电压进行滤波以产生经高通滤波的差分电压的差分高通滤波器，所述差分输出电压是跨所述第一输出端子和所述第二输出端子来定义的；

耦合至所述第一输出端子的第一跨导体；以及

耦合至第二输出端子的第二跨导体，其中所述第一跨导体和所述第二跨导体被配置成将所述经高通滤波的差分电压跨导为通过所述一对差分晶体管来驱动的差分偏置电流。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一跨导体包括耦合至所述第一输出端子的第一多个跨导体晶体管，以及所述第二跨导体晶体管包括耦合至所述第二输出端子的第二多个跨导体晶体管。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，进一步包括对应于所述第一多个跨导体晶体管的第一多个开关，其中所述第一多个跨导体晶体管中的每个跨导体晶体管通过所述第一多个开关中的对应开关来耦合至供电节点。

4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一多个开关包括使其栅极由启用字来控制的多个开关晶体管。

5.如权利要求4所述的电路，其特征在于，进一步包括耦合至所述第一输出端子的第三多个跨导体晶体管以及对应于所述第三多个跨导体晶体管的第二多个开关晶体管，其中所述第三多个跨导体晶体管中的每个跨导体晶体管通过所述第二多个开关晶体管中的对应的开关晶体管来耦合至所述供电节点，并且其中所述第二多个开关晶体管被配置成使其栅极由所述启用字的互补来控制。

6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述差分对中的所述第一晶体管包括第二端子并且所述差分对中的所述第二晶体管包括第二端子，所述电路进一步包括：

耦合至所述第一晶体管的第二端子的第一电流源；以及

耦合至所述第二晶体管的第二端子的第二电流源。

7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自是NMOS晶体管，并且其中所述第二端子是源极端子。

8.如权利要求6所述的电路，其特征在于，进一步包括：

在所述第二端子之间耦合的可变电阻器；以及

在所述第二端子之间耦合的可变电容器。

9.如权利要求8所述的电路，其特征在于，所述可变电阻器包括一对可变电阻器，并且其中所述可变电容器包括一对可变电容器。

10.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一跨导体包括耦合至所述第一输出端子的第一多个PMOS晶体管，以及第二跨导体包括耦合至所述第二输出端子的第二多个PMOS晶体管。

11.如权利要求10所述的电路，其特征在于，所述差分高通滤波器包括在所述第一输出端子与所述第二多个PMOS晶体管的栅极之间耦合的第一高通滤波器。

12.如权利要求11所述的电路，其特征在于，所述差分高通滤波器进一步包括在所述第二输出端子与所述第一多个PMOS晶体管的栅极之间耦合的第二高通滤波器。

13.一种方法，包括：

用差分输入电压来驱动一对差分晶体管的一对栅极，以产生跨所述一对差分晶体管的一对输出端子的差分输出电压；

将所述差分输出电压进行高通滤波以产生经高通滤波的差分电压；

通过跨导体来将经高通滤波的差分电压跨导为通过所述一对差分晶体管来传导的差分偏置电流；以及

从多个跨导晶体管中进行选择以提供经选择的跨导晶体管，其中通过所述跨导体来将所述经高通滤波的差分电压进行跨导包括：使用所述经选择的跨导晶体管来将所述经高通滤波的差分电压进行跨导。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，驱动所述一对差分晶体管的所述一对栅极包括驱动一对差分NMOS晶体管的一对栅极。