[发明专利]碳薄膜、制造其的等离子体装置及制造方法有效
申请号: | 201580040273.1 | 申请日: | 2015-07-16 |
公开(公告)号: | CN106661715B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 加藤健治;高桥正人;西村和也;石塚浩;森口秀树 | 申请(专利权)人: | 日本ITF株式会社 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C01B32/05;C23C14/24 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨文娟;臧建明<国际申请>=PCT/JP |
地址: | 日本京都府京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 制造 等离子体 装置 方法 | ||
1.一种碳薄膜的制造方法,包括:
第1工序,在朝向基板而固定于真空容器上的电弧式蒸发源上,安装阴极构件,所述阴极构件包含玻璃状碳,并且包含具有柱状形状剖面积大于0.785 mm2的柱状部分;
第2工序,对所述电弧式蒸发源施加负的电压;
第3工序,使放电开始以使等离子体从所述阴极构件的所述柱状部分释放出来,而在所述基板上形成碳膜;
所述碳膜中,经触针前端半径为1.25 μm的触针式的表面形状测定器测定的10 nm~20nm的凹凸的数量在每单位扫描距离及每单位膜厚中小于0.007个/mm/nm,其中每单位扫描距离的单位为mm,每单位膜厚的单位为nm,
所述阴极构件中,所述柱状部分的长度为20mm以上,且所述阴极构件的以下式(1)表示的抗热震性R为12.2以上,
R=σ×λ/α/E ···(1)
此处,在所述式(1)中,σ为弯曲强度,单位为MPa,λ为热传导率,单位为W/m· K,α为热膨胀系数,单位为/106 K,E为杨氏模量,单位为GPa,以及
第4工序,在所述碳膜与基板之间形成中间层,所述中间层包含选自元素周期表4A族元素、5A族元素、6A族元素、B中的至少一个元素及上述元素的氮化物中的任一者;并且
所述中间层是通过电弧放电法或溅射法而形成,所述电弧放电法或所述溅射法是使从阴极构件向真空容器的内部释放出的离子沿所述真空容器呈圆弧状弯曲,使所述离子抵达至所述基板,所述真空容器配置在阴极构件至所述基板之间,包含呈圆弧状弯曲的筒状构件。
2.根据权利要求1所述的碳薄膜的制造方法,其中所述中间层是使用阴极构件并利用溅射法而形成。
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