[发明专利]用于表征闪烁体材料的表征装置有效
申请号: | 201580040855.X | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN107209275B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | H·K·维乔雷克;C·R·龙达;H-A·维施曼;P·G·巴拉诺夫;G·阿萨特里安;D·O·托尔马切夫 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司;约费物理技术研究所 |
主分类号: | G01T1/202 | 分类号: | G01T1/202 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 孟杰雄;王英 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 表征 闪烁 材料 装置 | ||
1.一种用于表征闪烁体材料(3)的表征装置,所述表征装置(1)包括:
-第一辐射源(2),其用于利用具有小于450nm的波长的第一辐射(4)来辐照所述闪烁体材料(3),
-第二辐射源(5),其用于在已经利用所述第一辐射(4)辐照了所述闪烁体材料(3)之后,利用具有大于600nm的波长并且具有等于或小于50s的脉冲持续时间的脉冲第二辐射(6)来辐照所述闪烁体材料(3),
-探测设备(9),其用于在由所述第二辐射(6)进行的所述辐照期间和/或之后探测来自所述闪烁体材料(3)的第三辐射(12),以便允许基于探测到的第三辐射(12)对所述闪烁体材料(3)的表征,所述第三辐射能用作针对捕获电荷载体的阱的量的指示物。
2.根据权利要求1所述的表征装置,其中,所述第一辐射源(2)适于利用电离辐射来辐照所述闪烁体材料(3)。
3.根据权利要求2所述的表征装置,其中,所述第一辐射源(2)适于利用X射线和/或紫外辐射和/或伽马射线作为所述第一辐射(4)来辐照所述闪烁体材料(3)。
4.根据权利要求1所述的表征装置,其中,所述第一辐射源(2)适于利用非电离UV辐射或具有小于450nm的波长的可见辐射来辐照所述闪烁体材料(3)。
5.根据权利要求1所述的表征装置,其中,所述第二辐射源(5)适于在已经利用所述第一辐射(4)辐照了所述闪烁体材料(3)之后,首先利用具有大于600nm的第一波长的第二辐射来辐照所述闪烁体材料(3),并且然后利用具有第二波长的第二辐射来辐照所述闪烁体材料(3),其中,所述第二波长小于所述第一波长。
6.根据权利要求1所述的表征装置,其中,所述探测设备(9)适于取决于所述探测到的第三辐射(12)来生成探测信号,其中,所述表征装置(1)还包括用于对所述探测信号进行积分的计算单元(10),以便允许基于经积分的探测信号对所述闪烁体材料(3)的表征。
7.根据权利要求1所述的表征装置,其中,当利用电离辐射被辐照时,所述闪烁体材料(3)生成具有发光波长的发光,其中,所述探测设备(9)适于探测具有所述发光波长的辐射。
8.根据权利要求7所述的表征装置,其中,所述探测设备(9)包括波长滤波器(7)和光电探测器(8),所述波长滤波器适于允许具有所述发光波长的光(12)通过所述波长滤波器(7),所述光电探测器(8)用于探测经滤波的光。
9.根据权利要求1所述的表征装置,其中,所述表征装置(1)适于使得在利用所述第一辐射(4)对所述闪烁体材料(3)的所述辐照的结束与利用所述第二辐射(6)对所述闪烁体材料(3)的所述辐照的开始之间的时间距离等于或小于500s。
10.根据权利要求1所述的表征装置,其中,所述表征装置(1)适于表征正电子发射断层摄影闪烁体材料(3)、单光子发射计算机断层摄影闪烁体材料(3)和/或计算机断层摄影闪烁体材料(3)。
11.根据权利要求1所述的表征装置,其中,所述表征装置(1)适于表征包括以下的闪烁体材料(3):锗酸铋、和/或钨酸镉、和/或硅酸镥、和/或由百分之十的钇代替镥的改变的硅酸镥以及基于钆的石榴石。
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