[发明专利]用于高温处理的静电夹盘组件有效
申请号: | 201580041355.8 | 申请日: | 2015-10-09 |
公开(公告)号: | CN106663647B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | V·D·帕科 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 高温 处理 静电 组件 | ||
1.一种静电夹盘组件,包括:
定位盘,所述定位盘包括:
电性绝缘的上定位盘板,所述上定位盘板包括一个或更多个加热元件以及一个或更多个电极,以用于静电地固定基板;及
下定位盘板,所述下定位盘板通过金属接合而接合至所述上定位盘板,所述下定位盘板包括多个特征,所述多个特征在距离所述下定位盘板的中心的多个不同的距离处分布在所述下定位盘板上,其中所述多个特征中的每一者容纳多个紧固件中的一者;
冷却板,所述冷却板通过所述多个紧固件而耦接至所述下定位盘板;以及
O形环,所述O形环在所述冷却板的外周界处设置在所述冷却板的顶侧上,其中所述多个紧固件各自施加相等的紧固力,以将所述冷却板耦接至所述下定位盘板、压缩所述O形环以及维持所述冷却板与所述下定位盘板之间的相等的间隔,并且促进所述冷却板与所述下定位盘板之间的均匀热转移,其中所述冷却板与所述下定位盘板之间的所述间隔为2-40密尔。
2.如权利要求1所述的静电夹盘组件,进一步包括:
PFP垫圈,所述PFP垫圈设置于所述冷却板的至少一部分的顶侧上,其中所述PFP垫圈用作所述冷却板与所述下定位盘板之间的热扼流器。
3.如权利要求2所述的静电夹盘组件,其中所述PFP垫圈硫化至所述冷却板的所述至少一部分的所述顶侧。
4.如权利要求2所述的静电夹盘组件,进一步包括:
柔性石墨层,所述石墨层在所述PFP垫圈上。
5.如权利要求2所述的静电夹盘组件,其中所述冷却板包括:
基座部分;及
弹簧装载的热沉,所述热沉通过多个弹簧而连接至所述基座部分,其中所述PFP垫圈设置于所述热沉上,且其中所述多个弹簧施加力以将所述热沉压靠所述定位盘。
6.如权利要求1所述的静电夹盘组件,其中所述多个紧固件包括多个螺纹紧固件,且所述多个特征包括多个开孔,所述多个开孔用于接收所述多个螺纹紧固件。
7.如权利要求1所述的静电夹盘组件,其中所述一个或更多个加热元件将所述基板加热至超过180℃的温度,其中当所述基板加热至超过180℃的所述温度时,所述冷却板维持在低于120℃的温度,且其中所述定位盘与所述冷却板之间的界面用作所述定位盘与所述冷却板之间的热扼流器。
8.如权利要求1所述的静电夹盘组件,其中所述多个特征均匀地分布在所述下定位盘板上。
9.如权利要求1所述的静电夹盘组件,其中所述多个特征间隔开30-70平方厘米。
10.如权利要求1所述的静电夹盘组件,其中所述上定位盘板包括AlN,且所述下定位盘板包括下述各项中的一者:a)钼或b)渗透有AlSi合金的SiC多孔主体。
11.如权利要求1所述的静电夹盘组件,其中所述上定位盘板包括Al2O3,且所述下定位盘板包括Al2O3。
12.如权利要求1所述的静电夹盘组件,其中所述上定位盘板包括AlN,且所述下定位盘板包括AlN。
13.如权利要求1所述的静电夹盘组件,进一步包括:
在所述下定位盘板中的导电路径,所述导电路径包括填充有导电材料的孔;及
在所述下定位盘板与所述冷却板之间的导电垫圈,其中所述导电垫圈接触所述导电路径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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