[发明专利]用于电容式压力传感器的悬置膜

权利要求书

1.一种用于形成悬置膜的方法，所述方法包括下述步骤：

在牺牲层上方和边界沟槽内沉积第一导电材料的步骤，其中，所述第一导电材料在所述边界沟槽上方形成角过渡部；

去除所述第一导电材料的一部分的步骤，其中，所述去除的步骤将所述第一导电材料的不平坦形貌的至少一部分去除；

沉积第二导电材料的步骤，所述第二导电材料延伸到所述边界沟槽之外；

通过蚀刻开口去除所述牺牲层并且在所述第二导电材料下方形成腔的步骤，其中，所述第一导电材料限定所述腔的侧壁边界的一部分；

其中，所述悬置膜形成为集成电路顶部上的电容式压力传感器的一部分，并且其中所述方法还包括：

在所述悬置膜下方形成底电极；

在所述底电极上方形成隔离层，其中隔离层包括氮化硅；

在沉积所述第二导电材料之前沉积第一粘合层，其中所述第一粘合层包括钛或氮化钛中的一个，并且其中所述第二导电材料包括钨；

在所述第二导电材料上方沉积第二粘合层，其中所述第二粘合层包括钛或氮化钛中的一个；以及

形成密封层以密封所述蚀刻开口，其中，所述密封层包括氮化硅或氧化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

在形成所述悬置膜之前形成所述底电极，其中所述悬置膜形成第二电极。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，去除所述第一导电材料的一部分的步骤去除所述边界沟槽上方的所述角过渡部。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，去除所述第一导电材料的一部分的步骤去除所述牺牲层上方和所述边界沟槽上方的不平坦形貌。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，去除所述第一导电材料的一部分的步骤去除所述牺牲层上方和所述边界沟槽上方的不平坦形貌。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述底电极形成在集成电路的钝化层的顶部上。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述底电极形成在集成电路的钝化层的顶部上。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述底电极形成在集成电路的钝化层的顶部上。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述底电极形成在集成电路的钝化层的顶部上。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过化学气相沉积来沉积所述第二导电材料。

11.根据权利要求3所述的方法，其中，通过化学气相沉积来沉积所述第二导电材料。

12.根据权利要求4所述的方法，其中，通过化学气相沉积来沉积所述第二导电材料。

13.根据权利要求5所述的方法，其中，通过化学气相沉积来沉积所述第二导电材料。

14.根据权利要求6所述的方法，其中，通过化学气相沉积来沉积所述第二导电材料。

15.根据权利要求7所述的方法，其中，通过化学气相沉积来沉积所述第二导电材料。

16.根据权利要求8所述的方法，其中，通过化学气相沉积来沉积所述第二导电材料。

17.根据权利要求9所述的方法，其中，通过化学气相沉积来沉积所述第二导电材料。

18.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二导电材料具有大于600MPa的拉伸应力。