[发明专利]具有凹凸图案的构件的制造方法在审
申请号: | 201580042029.9 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN106660260A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 高桥麻登香;鸟山重隆;关隆史;佐藤祐辅 | 申请(专利权)人: | 捷客斯能源株式会社 |
主分类号: | B29C59/02 | 分类号: | B29C59/02;B29C65/52;H01L21/027;H01L51/50;H05B33/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 邵涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 凹凸 图案 构件 制造 方法 | ||
1.一种具有凹凸图案的构件的制造方法,其具有如下步骤:于表面具有凹凸图案的模具的上述凹凸图案上形成第1膜的步骤;
于基材上形成第2膜的步骤;
通过使上述模具与上述基材重叠,将上述第1膜与上述第2膜接合的步骤;及
自与上述第2膜接合的上述第1膜将上述模具剥离的步骤。
2.如权利要求1的具有凹凸图案的构件的制造方法,其具有如下步骤:于实施上述接合步骤前,于上述模具上的上述第1膜或上述基材上的上述第2膜上涂布接着剂。
3.如权利要求1或2的具有凹凸图案的构件的制造方法,其进而具有于上述接合步骤之前,于上述模具上的上述第1膜及/或上述基材上的上述第2膜上形成其他膜的步骤。
4.一种具有凹凸图案的构件的制造方法,其具有如下步骤:
于表面具有凹凸图案的模具的上述凹凸图案上,通过干式工艺而形成第1膜的步骤;
于上述模具的上述第1膜侧接合基材的步骤;及
将上述模具自上述第1膜剥离的步骤。
5.如权利要求4的具有凹凸图案的构件的制造方法,其具有如下步骤:于实施上述接合步骤前,在接合于上述模具的上述第1膜侧的上述基材的面上或上述模具的第1膜侧涂布接着剂。
6.如权利要求4或5的具有凹凸图案的构件的制造方法,其进而具有如下步骤:于上述模具的上述凹凸图案上所形成的上述第1膜上,通过干式工艺及/或湿式工艺而形成其他膜。
7.如权利要求4至6中任一项的具有凹凸图案的构件的制造方法,其中,于上述第1膜形成步骤中,通过利用上述干式工艺将氧化硅、氮氧化硅、或氮化硅成膜,而形成上述第1膜。
8.如权利要求4至7中任一项的具有凹凸图案的构件的制造方法,其具有下述步骤:于实施上述接合步骤前,于上述基材上形成第2膜。
9.如权利要求1至3、8中任一项的具有凹凸图案的构件的制造方法,其中,上述第1膜及/或上述第2膜的水蒸气穿透率为10-2g·m-2·day-1以下。
10.如权利要求3的具有凹凸图案的构件的制造方法,其中,由上述第1膜及上述第1膜上的上述其他膜所构成的第1气体阻隔层、及/或由上述第2膜所构成的第2气体阻隔层的水蒸气穿透率为10-2g·m-2·day-1以下。
11.如权利要求1至10中任一项的具有凹凸图案的构件的制造方法,其中,上述模具的上述凹凸图案的凸部及凹部
i)俯视时分别具有弯曲且延伸的细长形状,且
ii)延伸方向、挠曲方向及长度不均一。
12.如权利要求1至11中任一项的具有凹凸图案的构件的制造方法,其中,上述模具的上述凹凸图案为不规则的凹凸图案,凹凸的平均间距为100~1500nm的范围,凹凸的深度分布的平均值为20~200nm的范围。
13.如权利要求1至12中任一项的具有凹凸图案的构件的制造方法,其中,上述模具的凹凸分析图像的傅立叶变换像显示出以波数的绝对值为0μm-1的原点作为大致中心的圆状或圆环状的纹样,且上述圆状或圆环状的纹样存在于波数的绝对值成为10μm-1以下的区域。
14.一种具有凹凸图案的构件,其通过权利要求1至13中任一项的具有凹凸图案的构件的制造方法而制造。
15.如权利要求14的具有凹凸图案的构件,其具有气体阻隔层,
上述第1膜被含于上述气体阻隔层。
16.如权利要求15的具有凹凸图案的构件,其中,上述气体阻隔层的水蒸气穿透率为10-2g·m-2·day-1以下。
17.一种有机EL元件,其是于通过权利要求1至13中任一项的具有凹凸图案的构件的制造方法而制造的具有凹凸图案的构件上,依序积层第1电极、有机层及金属电极而形成。
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