[发明专利]层状聚合物结构和方法有效
申请号: | 201580042273.5 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN106796978B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | J·亨宁;S·斯威尔 | 申请(专利权)人: | 美国陶氏有机硅公司 |
主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52;B32B27/28;C08J5/18;C08G77/42 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层状 聚合物 结构 方法 | ||
1.一种封装膜,包括:
第一层,所述第一层包含第一树脂-直链有机硅氧烷嵌段共聚物,所述嵌段共聚物包含具有式[R12SiO2/2]单元和式[R2SiO3/2]单元的树脂嵌段和线性嵌段,所述第一层具有第一主表面和第二主表面;
第二层,所述第二层包含第二树脂-直链有机硅氧烷嵌段共聚物,所述嵌段共聚物包含具有式[R12SiO2/2]单元和式[R2SiO3/2]单元的树脂嵌段和线性嵌段,所述第二层具有第一主表面和第二主表面;和
第三层,所述第三层包含有机硅氧烷树脂,所述有机硅氧烷树脂由式[R12SiO2/2]单元和式[R2SiO3/2]单元组成,所述第三层与所述第一层的所述第二主表面和所述第二层的所述第一主表面直接接触;
其中:
R1独立地为C1至C30烃基,并且
R2独立地为C1至C20烃基。
2.根据权利要求1所述的封装膜,其中:
在所述第一层的所述第一树脂-直链有机硅氧烷嵌段共聚物和所述第二层的所述第二树脂-直链有机硅氧烷嵌段共聚物中的至少一者的所述树脂嵌段中,所述式[R12SiO2/2]单元的R1基团和所述式[R2SiO3/2]单元的R2基团中的至少一者的20摩尔%至100摩尔%为C6-C16芳基;并且
所述第三层的所述有机硅氧烷树脂的所述式[R12SiO2/2]单元的所述R1基团和所述式[R2SiO3/2]单元的所述R2基团中的至少一者的20摩尔%至100摩尔%为C6-C16芳基。
3.根据权利要求1所述的封装膜,其中:
在所述第一层的所述第一树脂-直链有机硅氧烷嵌段共聚物和所述第二层的所述第二树脂-直链有机硅氧烷嵌段共聚物中的至少一者的所述树脂嵌段中,所述式[R12SiO2/2]单元的所述R1基团和所述式[R2SiO3/2]单元的所述R2基团中的至少一者的20摩尔%至100摩尔%为C1-C6烷基;并且
所述第三层的所述有机硅氧烷树脂的所述式[R12SiO2/2]单元的所述R1基团和所述式[R2SiO3/2]单元的所述R2基团中的至少一者的20摩尔%至100摩尔%为C1-C6烷基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国陶氏有机硅公司,未经美国陶氏有机硅公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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