[发明专利]集成3路Doherty放大器

权利要求书

1.一种3路Doherty放大器，包括：

主级(120)，包括主级晶体管(122)；

第一峰级(130)，包括第一峰级晶体管(132)；

第二峰级(140)，包括第二峰级晶体管(142)；

输入网络(110)，具有用于接收待放大的RF信号的输入端(102)；以及

输出网络(150)，具有输出端(104)，被配置用于组合由所述主级、所述第一峰级和所述第二峰级输出的经放大的RF信号，并用于在所述输出端处输出经组合的经放大的RF信号；

所述输入网络包括分路器(112)，所述分路器(112)将所接收的RF信号分路到三个输入支路上，其中，所述三个输入支路中的第一输入支路在所述输入网络的输入端与所述主级的输入端之间延伸，其中，所述三个输入支路中的第二输入支路在所述输入网络的输入端与所述第一峰级的输入端之间延伸，并且其中，所述三个输入支路中的第三输入支路在所述输入网络的输入端与所述第二峰级的输入端之间延伸，

其中，所述第二输入支路包括：由所述主级晶体管(122)的寄生的栅-源电容(124)、所述第一峰级晶体管(132)的寄生的栅-源电容(134)、连接在所述分路器(112)与所述第一峰级晶体管(132)的栅极之间的相移电容器(219)形成的第一pi网络提供的第一阻抗(114)，所述第一pi网络被配置用于提供-90°的相移；

其中，所述第三输入支路包括：由所述主级晶体管(122)的寄生的栅-源电容(124)、所述第二峰级晶体管(142)的寄生的栅-源电容(144)、经由DC锁定电容器(230)连接在所述分路器(112)与所述第二峰级晶体管(142)的栅极之间的相移电感器(229)形成的第二pi网络提供的第二阻抗(116)，所述第二pi网络被配置用于提供90°的相移；

所述输出网络包括：三个输出支路，用于分别从所述主级、所述第一峰级和所述第二峰级接收经放大的RF信号；所述三个输出支路中的第一输出支路在所述输出网络的输出端与所述主级的输出端之间延伸，所述三个输出支路中的第二输出支路在所述输出网络的输出端与所述第一峰级的输出端之间延伸，所述三个输出支路中的第三输出支路在所述输出网络的输出端与所述第二峰级的输出端之间延伸；

其中，所述第二输出支路经由第三阻抗提供180°的相移，并且其中，所述第一输出支路经由第四阻抗提供90°的相移，并且其中，所述3路Doherty放大器集成在单个半导体裸片上，其中，所述主级晶体管(122)位于所述第一峰级晶体管(132)与所述第二峰级晶体管(142)之间。

2.根据权利要求1所述的3路Doherty放大器，其中，所述主级和所述第一峰级和所述第二峰级在所述输入网络的输入端处供应的输入功率的相应阈值处变为可工作。

3.根据权利要求1所述的3路Doherty放大器，其中，所述第三阻抗包括至少一个第一接合线，所述至少一个第一接合线连接在所述第一峰级的输出端和所述3路Doherty放大器的输出端之间，并且所述第四阻抗包括至少一个第二接合线，所述至少一个第二接合线连接在所述主级的输出端和所述3路Doherty放大器的输出端之间。

4.根据权利要求3所述的3路Doherty放大器，还包括：

第三pi网络，所述第三pi网络由所述第一峰级的寄生漏-源电容、所述至少一个第一接合线以及所述第二峰级的寄生漏-源电容形成，所述第三pi网络被配置用于提供所述第三阻抗；

第四pi网络，所述第四pi网络由所述主级的寄生漏-源电容、所述至少一个第二接合线以及所述第二峰级的寄生漏-源电容形成，所述第四pi网络被配置用于提供所述第四阻抗；

所述3路Doherty放大器包括连接在所述3路Doherty放大器的输出端与接地之间的输出电容。

5.根据权利要求3所述的3路Doherty放大器，其中，所述至少一个第一接合线比所述至少一个第二接合线长。

6.根据权利要求5所述的3路Doherty放大器，其中，所述第一峰级比所述第二峰级接近所述放大器的输入端。