[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的外延层；

设置在所述外延层上的簇电极，所述簇电极包括多个颗粒并且接触所述外延层，所述颗粒设置成彼此间隔开；

第一氧化层，所述第一氧化层设置在所述多个颗粒与所述外延层之间，并且接触所述外延层或所述颗粒中的至少之一；以及

分别连接到所述多个颗粒的多个配线，

其中所述多个颗粒具有以矩阵形式、蜂窝形式或无规形式布置的平面形状，以及

其中所述第一氧化层彼此间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个颗粒包括球形、半球形或多面体中的至少一种的形状。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一氧化层以楔形设置在所述多个颗粒与所述外延层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一氧化层之间的间隔距离与所述多个颗粒中的每一个的平均直径相同。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一氧化层之间的间隔距离大于零并且小于数百微米。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述颗粒之间以及所述外延层上的第二氧化层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二氧化层被设置成与所述多个颗粒间隔开。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二氧化层被设置成接触所述多个颗粒。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二氧化层具有板状横截面形状。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述第一氧化层之间在所述外延层上的第二氧化层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一氧化层和所述第二氧化层一体地形成。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一氧化层和所述第二氧化层被设置成彼此间隔开。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述衬底的底表面上的下电极。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个颗粒以彼此相等的间隔设置。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个颗粒以彼此不同的间隔设置。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述颗粒中的每一个包括Ag、Al、Au、Cr、Cu、Ni、Ti或W中的至少一种。

17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外延层或所述衬底中的至少之一包括IV族半导体、III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体中的至少一种。

18.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一氧化层的厚度小于所述颗粒的直径。

19.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二氧化层的厚度小于所述颗粒的直径。

20.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个颗粒中的每一个的体积为数个立方微米至数百立方微米。

21.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外延层包括发光结构，其中，所述发光结构包括：

设置在所述衬底上的第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层。

22.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外延层包括：

在所述衬底上的沟道层；以及

电子供给层，所述电子供给层设置在所述沟道层上并且与所述沟道层形成异质结界面，

其中所述簇电极设置在所述电子供给层上。