[发明专利]使用比例式热流体输送系统的基板载具有效
申请号: | 201580042920.2 | 申请日: | 2015-11-20 |
公开(公告)号: | CN106663648B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | P·克里米诺儿;J·斐;D·A·马洛尔;S·F·秀吉;B·L·梅斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 比例式 流体 输送 系统 基板载具 | ||
1.一种装置,包括:
热交换器,用以向基板载具的流体通道提供热流体并且接收来自所述流体通道的所述热流体,所述流体通道中的所述热流体用以在基板处理期间控制所述基板载具的温度;
比例阀,用以控制从所述热交换器至所述流体通道的所述热流体的流速,其中所述比例阀包括压力调节阀,其中所述比例阀包括具有上部腔室和下部腔室的阀主体,其中所述上部腔室中的上部隔膜耦接至所述下部腔室中的下部隔膜,其中所述下部腔室接收来自三向阀的所述热流体;以及
温度控制器,用以接收来自所述基板载具的热传感器的测得温度,且响应于所述测得温度而控制所述比例阀以调整所述流速,其中所述温度控制器生成模拟电压作为至压力调节器的信号以向所述压力调节阀提供经调节的压力,其中所述比例阀是流量控制阀,所述流量控制阀具有依据所述经调节的压力而打开或关闭一定量的通路。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述温度控制器向所述压力调节器提供模拟电压信号,且其中所述压力调节器响应于所述模拟电压信号而向所述压力调节阀提供流体压力以控制所述压力调节阀。
3.如权利要求2所述的装置,其中所述模拟电压是无级的,且其中所述流体压力是无级的。
4.如权利要求2所述的装置,其中提供至所述压力调节阀的所述流体压力由压缩干燥空气供应。
5.如权利要求1所述的装置,进一步包括压力传感器和流量计,所述流量计耦接至所述流体通道,且其中所述温度控制器响应于所述压力传感器和所述流体通道而控制所述比例阀。
6.如权利要求1所述的装置,其中所述压力调节器包括压缩干燥空气入口和耦接至所述比例阀的压缩干燥空气出口,所述压力调节器进一步在所述压缩干燥空气入口与所述压缩干燥空气出口之间包括电磁阀,以在所述压缩干燥空气出口处调节所述压缩干燥空气的压力。
7.如权利要求1所述的装置,进一步包括第二热交换器以向所述流体通道提供第二热流体,且包括阀以确定是所述热交换器流体或是所述第二热交换器流体流向所述比例阀。
8.如权利要求7所述的装置,其中所述热交换器提供冷的热流体,且所述第二热交换器提供热的热流体。
9.如权利要求8所述的装置,其中所述冷的热流体与所述热的热流体包括聚醚。
10.如权利要求1所述的装置,其中所述基板载具包括多个不同的独立冷却通道以承载所述热流体,从而传递来自所述基板载具的热,每一流体通道包括相应的供应部和回流部,且其中所述比例阀控制进入每一供应部的热流体的流速。
11.一种工件处理系统,包括:
等离子体腔室;
等离子体源,用以在所述等离子体腔室中产生包含气体离子的等离子体;
工件固持件,位于所述腔室中以在等离子体处理期间固持工件并控制所述工件的温度,所述工件固持件具有流体通道和温度传感器;
热交换器,用以向所述工件固持件的所述流体通道提供热流体,且用以接收来自所述流体通道的所述热流体,所述流体通道中的所述热流体用以在基板处理期间控制所述工件固持件的温度;
比例阀,用以控制从所述热交换器至所述流体通道的所述热流体的流速,其中所述比例阀包括压力调节阀,其中所述比例阀包括具有上部腔室和下部腔室的阀主体,其中所述上部腔室中的上部隔膜耦接至所述下部腔室中的下部隔膜,其中所述下部腔室接收来自三向阀的所述热流体;以及
温度控制器,用以接收来自所述工件固持件的热传感器的测得温度,且响应于所述测得温度而控制所述比例阀以调整所述流速,其中所述温度控制器生成模拟电压作为至压力调节器的信号以向所述压力调节阀提供经调节的压力,其中所述比例阀是流量控制阀,所述流量控制阀具有依据所述经调节的压力而打开或关闭一定量的通路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造