[发明专利]电子保护开关

权利要求书

1.电子保护开关(1)，所述电子保护开关具有半导体开关(2)，所述半导体开关的漏极联接端(D)和所述半导体开关的源极联接端(S)接在电压输入端(5)与负载输出端(6)之间，并且所述半导体开关的栅极联接端(G)与控制装置(8)连接，在输入侧将代表负载电流(I_L、I_ds)的信号(S_I)输送给所述控制装置，

其特征在于，

所述控制装置(8)获知漏极-源极电压(V_ds)，并且基于所述漏极-源极电压以及基于检测到的负载电流(I_L、I_ds)，所述控制装置使将所述半导体开关(2)的功率(P_FET)调整为小于或者等于最大功率值(P_max)的控制信号(S_G)导向所述半导体开关(2)的栅极联接端(G)。

2.根据权利要求1所述的电子保护开关(1)，

其特征在于，

将代表所述半导体开关(2)的漏极电压(V_d)和源极电压(V_s)的电压信号(S_Vd、S_Vs)输送给所述控制装置(9)。

3.根据权利要求1或2所述的电子保护开关(1)，

其特征在于，

所述控制装置(9)在输入侧与检测所述半导体开关(2)的输入电压(V_E)和/或漏极电压(V_d)的电压测量计(10)连接并且与检测所述半导体开关(2)的负载电压(V_L)和/或源极电压(V_s)的电压测量计(11)连接。

4.根据权利要求2或3所述的电子保护开关(1)，

其特征在于，

所述控制装置(9)基于检测到的漏极电压或输入电压(V_d、V_E)与检测到的源极电压或负载电压(V_s、V_L)的差来获知所述半导体开关(2)的漏极-源极电压(V_ds)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子保护开关(1)，

其特征在于，

所述控制装置(9)依赖于检测到的负载电流(I_L)来驱控所述半导体开关(2)，使得在过载情况下和/或短路情况下将所述负载电流(I_L)限制到阈值(I_max)上。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电子保护开关(1)，

其特征在于，

所述半导体开关(2)是场效应晶体管、尤其是MOSFET，所述场效应晶体管的漏极联接端(D)配属于所述电压输入端(5)，而所述场效应晶体管的源极联接端(S)配属于所述负载输出端或者负载联接端(6)。

7.用于运行电子保护开关(1)和/或用于驱控这种保护开关(1)的半导体开关(2)的方法，所述保护开关(1)具有接在电压输入端(5)与负载输出端(6)之间的半导体开关(2)，在驱控侧将基于负载电流(I_L、I_ds)并且基于漏极-源极电压(V_ds)推导出的控制信号(S_G)输送给所述半导体开关，借助于所述控制信号将所述半导体开关(2)的功率(P_FET)调整为小于或者等于最大功率值(P_max)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，至少在负载(L)的接通过程期间，将所述半导体开关(2)的功率(P_FET)调整为小于或者等于所述最大功率值(P_max)。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，所述半导体开关(2)的漏极-源极电压(V_ds)基于漏极电压或输入电压(V_d、V_E)并且基于源极电压或负载电压(V_s、V_L)来获知。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中，所述半导体开关(2)被驱控使得在过载情况下和/或短路情况下将所述负载电流(I_L)限制到阈值(I_max)上。