[发明专利]半导体晶圆的加工方法

说明书

本发明为一种半导体晶圆的加工方法，对具有表面及背面且于周缘端部具有由表面侧、背面侧的倒角面及边缘面所构成的倒角部的半导体晶圆的与表面侧、背面侧的倒角面、边缘面及表面或背面的倒角面为相邻的最外周部的各部位进行镜面研磨，其中于表面侧倒角面镜面研磨的步骤及背侧面倒角面镜面研磨的步骤后，于同一步骤中进行边缘面及表面或背面的最外周部的镜面研磨，借由以同一步骤进行边缘面及最外周部的镜面研磨，调整表面或背面的最外周部的边缘下降量。借此不使半导体晶圆的内侧形状比最外周部更崩坏，能有良好精确度地于最外周部形成期望的凹陷形状，且不使加工后半导体晶圆的边缘面形状锐利化。

技术领域

本发明涉及一种半导体晶圆的加工方法、贴合式晶圆的制造方法以及磊晶晶圆的制造方法。

背景技术

作为SOI晶圆的制作方法，主要是利用一种离子注入剥离法，该离子注入剥离法于形成有SOI层的接合晶圆上，借由注入主要为氢离子的物质而形成剥离用离子注入层，并在透过绝缘膜而与基底晶圆贴合之后，在剥离用离子注入层予以剥离于该接合晶圆而使其薄膜化的方法，但是此方法有于剥离接合晶圆时发生外围缺陷的问题。作为此外围缺陷的解决对策，现有技术是在贴合用的晶圆(接合晶圆、基底晶圆)的贴合面侧的最外周部形成凹陷形状(边缘下降(roll-off)量为正值的形状)。

再者，磊晶晶圆的制造中，于磊晶成长用基板(也被称为磊晶基板)上进行磊晶层的形成时，因最外周部有形成弹起形状(边缘下降量为负值的形状)的倾向的缘故，因此有寻求于形成磊晶成长用基板的弹起形状的部分预先形成凹陷形状进而调控磊晶层形成后的平坦度的方式。

因此，于贴合用晶圆与磊晶成长用基板的制造中，现有技术是在晶圆主要表面的研磨步骤中利用延长研磨时间来形成凹陷形状。但是，此方法为了形成凹陷形状的缘故而延长晶圆主要表面的研磨时间，以致有内侧的形状比最外周部的形状更加恶化的问题。在此所述的形状的恶化，例如，透过平坦度SFQR(Site Front leasts Quares Range)的最大值SFQRmax的值来表示，即，SFQRmax的值越大，则晶圆的内侧的形状比最外周部的形状更加恶化。因SFQRmax的值变大则会成为在组件制程中使失焦变恶化的主要原因的缘故，一般来说，较小的平坦度则SFQmax为佳，因此，寻求一种方法不使晶圆的内侧的形状比最外周部更崩坏(不使平坦度SFQmax变大)且能精确地形成期望的凹陷形状。

作为上述的问题的解决对策，在专利文献2中记载，于磊晶成长用基板的制造中，不进行借由延长半导体晶圆主表面的研磨时间而形成凹陷形状的方法。具体而言，此方法如图13的(a)、(b)所示，将自半导体晶圆101的表面102侧的倒角面、背面103侧的倒角面以及边缘面构成的倒角部108，与相邻于背面103侧的倒角面的最外周部分成4等分的区域，利用具有分别相对应的4个研磨垫(表面倒角面的研磨垫104、背面倒角面的研磨垫105、边缘面的研磨垫106以及背面的最外周部的研磨垫107)的研磨装置的方法。借此在进行倒角部108的镜面研磨的同时形成凹陷形状。然而，此方法虽有能同时研磨倒角部邻近分成4等分的区域的优点，相反地，如图15所示，半导体晶圆101的倒角部的尖端形状(边缘面109的形状)有变锐利的问题。若使用以此方法加工的晶圆作为贴合用的晶圆的情况下，于后续步骤进行离子注入时，会发生在产生离心力时作用力集中于倒角部的尖端而经常发生破损的不良状况。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2007-273942号公报

[专利文献2]日本特开2012-109310号公报。

发明内容

[发明所欲解决的问题]

为解决上述问题，本发明的目的是提供一种半导体晶圆的加工方法，不使半导体晶圆的内侧的形状比最外周部更崩坏，能有良好精确度地于最外周部形成期望的凹陷形状，且不使加工后的半导体晶圆的边缘面的形状锐利化。