[发明专利]半导体输送部件和半导体载置部件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体输送部件和半导体载置部件。

背景技术

在输送硅晶片等半导体时，使用移动臂或移动台等输送基材对该半导体进行输送(例如参照专利文献1、2)。在进行这样的输送时，对载置半导体的部件(半导体载置部件)要求使得半导体在输送中在该输送基材上不偏移的强的抓持力。

然而，以往的具有强的抓持力的半导体载置部件存在如下问题：在输送后将半导体从该半导体载置部件剥离时，污染物容易附着残留于半导体侧。

另一方面，若将污染物难以附着残留于半导体侧的陶瓷等材料用作半导体载置部件，则存在抓持力变弱，在输送中在该半导体载置部件上半导体偏移的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-351961号公报

专利文献2：日本特开2013-138152号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题在于提供一种具有能够表现出强的抓持力并且污染物难以附着残留于半导体侧的半导体载置部件的半导体输送部件。另外，本发明要解决的技术问题在于提供一种能够表现出强的抓持力并且污染物难以附着残留于半导体侧的半导体载置部件。

用于解决技术问题的手段

本发明的半导体输送部件具有输送基材和半导体载置部件，其特征在于：

该半导体载置部件包含纤维状柱状结构体，

该纤维状柱状结构体为具备多个纤维状柱状物的纤维状柱状结构体，

该纤维状柱状物沿相对于该输送基材大致垂直的方向取向，

该纤维状柱状结构体的与该输送基材相反的一侧的表面相对于玻璃表面的静摩擦系数为4.0以上。

在优选实施方式中，上述纤维状柱状物的至少包含前端的部分由无机材料包覆。

在优选实施方式中，上述被包覆的部分所具有的包覆层的厚度为1nm以上。

在优选实施方式中，在上述输送基材与上述半导体载置部件之间具有粘合剂。

在优选实施方式中，上述纤维状柱状结构体为具备多个碳纳米管的碳纳米管集合体。

在优选实施方式中，上述碳纳米管具有多层，该碳纳米管的层数分布的分布幅度为10层以上，该层数分布的最频值的相对频度为25％以下。

在优选实施方式中，上述碳纳米管的长度为300μm以上。

在优选实施方式中，上述碳纳米管具有多层，该碳纳米管的层数分布的最频值存在于层数10层以下，该最频值的相对频度为30％以上。

在优选实施方式中，上述碳纳米管的长度为500μm以上。

本发明的半导体载置部件用于载置半导体，其特征在于：

包含具备多个纤维状柱状物的纤维状柱状结构体，

该纤维状柱状结构体的表面相对于玻璃表面的静摩擦系数为4.0以上。

在优选实施方式中，上述纤维状柱状物的至少包含前端的部分由无机材料包覆。

在优选实施方式中，上述被包覆的部分所具有的包覆层的厚度为1nm以上。

在优选实施方式中，上述纤维状柱状结构体为具备多个碳纳米管的碳纳米管集合体。

在优选实施方式中，上述碳纳米管具有多层，该碳纳米管的层数分布的分布幅度为10层以上，该层数分布的最频值的相对频度为25％以下。

在优选实施方式中，上述碳纳米管的长度为300μm以上。

在优选实施方式中，上述碳纳米管具有多层，该碳纳米管的层数分布的最频值存在于层数10层以下，该最频值的相对频度为30％以上。

在优选实施方式中，上述碳纳米管的长度为500μm以上。

发明效果

根据本发明，能够提供一种具有能够表现出强的抓持力并且污染物难以附着残留于半导体侧的半导体载置部件的半导体输送部件。另外，能够提供一种能够表现出强的抓持力并且污染物难以附着残留于半导体侧的半导体载置部件。

附图说明

图1为本发明的优选实施方式中的半导体输送部件的一个例子的概略剖视图。

图2为本发明的优选实施方式中的半导体载置部件的一个例子的概略剖视图。

图3为本发明的优选实施方式中的碳纳米管集合体的制造装置的概略剖视图。

具体实施方式

本发明的半导体输送部件具有输送基材和半导体载置部件。