[发明专利]二维光子晶体面发射激光器

权利要求书

1.一种二维光子晶体面发射激光器，其具有：在板状的母材上将折射率与该母材不同的异折射率区域周期性地配置为二维状而成的二维光子晶体；设置于所述二维光子晶体的一侧的活性层；和夹着所述二维光子晶体以及所述活性层而设置的、向该活性层供给电流的具有导电体的第1电极以及覆盖与该第1电极相同或比该第1电极更大的范围的第2电极，

所述二维光子晶体面发射激光器的特征在于，

该第1电极形成为：所述导电体形成为网格状，网格的粗度或间隔根据该第1电极的面内位置而不同，由此所述导电体在该网格内的面积比根据位置而不同。

2.根据权利要求1所述的二维光子晶体面发射激光器，其特征在于，

所述第1电极形成为以在面内位置的中心具有最高密度的分布向所述活性层供给电流。

3.根据权利要求1或2所述的二维光子晶体面发射激光器，其特征在于，

所述网格的线的间隔为所述活性层中的面内方向的电流分散范围的1.4倍以下。

4.根据权利要求1或2所述的二维光子晶体面发射激光器，其特征在于，

所述第1电极具有所述导电体在网格内的面积比彼此不同的多个区域。

5.根据权利要求4所述的二维光子晶体面发射激光器，其特征在于，

随着从所述第1电极的面内位置的中心远离，所述多个区域各自的所述面积比逐渐减小。

6.根据权利要求5所述的二维光子晶体面发射激光器，其特征在于，

所述第1电极当中的包含所述中心的区域仅由所述导电体构成。

7.根据权利要求1或2所述的二维光子晶体面发射激光器，其特征在于，

所述第1电极的所述导电体在网格内的面积比根据位置而连续地变化。

8.根据权利要求7所述的二维光子晶体面发射激光器，其特征在于，

随着从所述第1电极的面内位置的中心远离，所述导电体在所述网格内的面积比逐渐减小。

9.一种二维光子晶体面发射激光器，其具有：在板状的母材上将折射率与该母材不同的异折射率区域周期性地配置为二维状而成的二维光子晶体；设置于所述二维光子晶体的一侧的活性层；和夹着所述二维光子晶体以及所述活性层而设置的、向该活性层供给电流的具有导电体的第1电极以及覆盖与该第1电极相同或比该第1电极更大的范围的第2电极，

所述二维光子晶体面发射激光器的特征在于，

所述第1电极具有配置为同心圆状的多个环状导电体和将所述环状导电体彼此电连接的连接部，

所述环状导电体的宽度以及/或者间隔根据距中心的距离而不同。