[发明专利]利用脉冲二氧化碳激光器热处理硅酸盐层

权利要求书

1.包括材料层(102)和衬(104)的材料夹层(100)的材料层(102)的热处理的方法，衬(104)包括硅氧化合物且材料层(102)包括硅氧化合物，所述方法包括：

利用二氧化碳激光器(112)的脉冲激光束(114)照射材料层(102)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中衬(104)是一玻璃衬和/或材料层(102)是硅酸盐层。

3.包括材料层(102)和衬(104)的材料夹层(100)的材料层(102)的热处理的方法，其中热处理提高材料层的耐磨性，衬(104)为玻璃衬并且包括硅氧化合物，以及材料层(102)为抗反射层并包括硅氧化合物，所述方法包括：

利用二氧化碳激光器(112)的脉冲激光束(114)照射材料层(102)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中材料层(102)是由溶胶-凝胶工艺形成的多孔层。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中执行照射以选择性地加热材料层(102)和衬104的衬部分(116)，衬部分(116)朝向材料层(102)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中脉冲激光束(114)的脉冲持续时间是约在0.01微秒至5微秒之间，尤其是在0.1至1微秒之间。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在材料层(102)的表面(120)的脉冲激光束(114)的单激光脉冲的区域能量密度是在25毫焦/平方厘米至1000毫焦/平方厘米之间，尤其是在50毫焦/平方厘米至500毫焦/平方厘米之间。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：利用横向地激励且间歇地泵浦的二氧化碳激光器(112)产生脉冲激光束(114)。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：利用Q开关持续地泵浦的二氧化碳激光器(112)产生脉冲激光束(114)。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中材料层(102)是材料夹层(100)的表面层。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中脉冲激光束(114)适配为将抗反射层加热至少至在400摄氏度与500摄氏度之间的范围的温度。

12.脉冲二氧化碳激光器(112)对材料夹层(100)的材料层(102)进行热处理的用途，尤其是根据权利要求1-11任一项所述方法的对材料层(102)的热处理，其中材料夹层(100)包括材料层(102)和衬(104)，其中衬(104)包括硅氧化合物且材料层(102)包括硅氧化合物。

13.用于热处理的设备(110)，尤其是根据权利要求1-11中任一所述方法的对材料夹层(100)的材料层(102)进行的热处理，材料夹层(100)包括材料层(102)和衬(104)，其中衬(104)包括硅氧化合物且材料层(102)包括硅氧化合物，所述设备包括：

二氧化碳激光器(112),配置为用于产生脉冲激光束(114)，进而利用脉冲激光束(114)照射材料夹层(100)的材料层(102)，从而完成对材料层(102)的热处理。

14.以计算机程序形式或以包括该计算机程序的计算机可读介质形式的计算机程序产品，所述计算机程序配置为用于，当在数据处理器设备(138)上执行时，控制根据权利要求1-11中任一所述的方法。