[发明专利]传感器、包括传感器的过滤元件和这样的过滤元件的应用在审
申请号: | 201580045566.9 | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN106796151A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | T·凯撒;R·塔珀;S·海因茨;M·纽伯特 | 申请(专利权)人: | 卡尔·弗罗伊登伯格公司 |
主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00;B81C1/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 吕晨芳 |
地址: | 德国魏*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 包括 过滤 元件 这样 应用 | ||
1.传感器(2、2'、2"),其具有设置在功能体积(3)内的电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5"),所述功能体积最多4mm至5mm长、最多2mm至3mm宽并且最多0.5mm至0.8mm高。
2.按照权利要求1所述的传感器,其特征在于,在功能体积(3)内设置有多个电子芯片(4、4'、4")和/或多个传感器芯片(5、5'、5")。
3.按照权利要求1或2所述的传感器,其特征在于,电子芯片(4、4'、4")具有多个模拟的和/或数字的接口,利用所述接口可评估不同的传感器芯片。
4.按照上述权利要求之一所述的传感器,其特征在于,借助电子芯片(4、4'、4")和/或传感器芯片(5、5'、5")进行通过无线电接口或通过触点的不可插接连接实现的无线的能量和/或数据传输。
5.按照上述权利要求之一所述的传感器,其特征在于,带有转换元件(10、10'、10")的传感器芯片(5、5'、5")和/或带有转换元件(10)和传感器前端(11)的传感器芯片(5)整体上以180nmCMOS工艺制造。
6.按照上一权利要求所述的传感器,其特征在于,转换元件(10)构成为在硅膜片上的晶体管或电阻。
7.按照上述权利要求之一所述的传感器,其特征在于,利用所述传感器芯片(5、5'、5")可测量在10-500Pa的范围中的压差。
8.按照上述权利要求之一所述的传感器,其特征在于,传感器芯片(5、5'、5")具有5Pa的分辨率。
9.按照权利要求7所述的传感器,其特征在于,传感器芯片(5、5'、5")具有处于1Pa至小于5Pa的范围中的分辨率。
10.按照权利要求7所述的传感器,其特征在于,传感器芯片(5、5'、5")具有处于大于5Pa直至10Pa的范围中的分辨率。
11.按照上述权利要求之一所述的传感器,其特征在于,电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5")并排地设置在一个电路板(6、6'、6")上。
12.按照上述权利要求之一所述的传感器,其特征在于,电子芯片(4、4')和传感器芯片(5、5')通过接合线(17)相互导电连接。
13.按照权利要求1至11之一所述的传感器,其特征在于,电子芯片(4")和传感器芯片(5")通过倒装芯片连接在使用触点接通小丘(18)的情况下相互导电连接。
14.按照上述权利要求之一所述的传感器,其特征在于,传感器芯片(5、5'、5")具有膜片(19'、19")和电子设备(20'、20")。
15.按照上述权利要求之一所述的传感器,其特征在于,传感器芯片(5'、5")具有硅基底(21'、21"),膜片(19'、19")蚀刻到所述硅基底中,所述膜片除去转换元件(10'、10")没有电子设备和/或氧化层。
16.按照上述权利要求之一所述的传感器,其特征在于,电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5")设置在一个电路板(6、6'、6")上,在所述电路板中构成通道(6'a、6"a),其中,所述通道(6'a、6"a)是至如下体积(22'、22")的唯一的导流入口,所述体积由电路板(6、6'、6")、传感器芯片(5、5'、5")和围绕传感器芯片(5、5'、5")的密封圈(23'、23")形成,其中,膜片(19'、19")的第一膜片面(19'a、19"a)朝向所述体积(22'、22")。
17.过滤元件(1a),其具有基体(1),其中,在基体(1)上设置按照上述权利要求之一所述的传感器(2、2'、2")。
18.按照权利要求17所述的过滤元件,其特征在于,基体(1)具有过滤介质(7),所述过滤介质具有流入侧(8)和流出侧(9),其中,传感器芯片(5、5'、5")是如此高分辨率的,使得在流入侧(8)和流出侧(9)之间的在10-500Pa的范围中的压差可被检测。
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