[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201580045770.0 | 申请日: | 2015-08-24 |
公开(公告)号: | CN106605306B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 李素拉;蔡钟炫 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/08 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光装置,所述发光装置包括焊接到安装衬底的第一接合焊盘和第二接合焊盘,
其中第一接合焊盘通过第一连接电极与第一电极连接,第二接合焊盘通过第二连接电极与第二电极连接,第一电极和第二电极分别电连接到第一导电型半导体层和第二导电型半导体层,并且第一接合焊盘和第二接合焊盘中的每个包括形成在焊球可接触区域中的两个或多个线形接合焊盘,
所述两个或多个线形接合焊盘中的至少两个彼此面对,并且
非导电区域存在于彼此面对的所述至少两个线形接合焊盘之间。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述两个或多个线形接合焊盘中的至少两个彼此分离。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述两个或多个线形接合焊盘中的至少两个彼此连接。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中第一接合焊盘和第二接合焊盘中的至少一个包括n个线形接合焊盘和将所述n个线形接合焊盘彼此连接的至少n-1个连接部分,其中,n≥2。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述线形接合焊盘具有200μm或更小的宽度。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述线形接合焊盘具有40μm或更大的宽度。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述线形接合焊盘的面积是所述焊球可接触区域的面积的40%或更多。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一连接电极形成在设置在所述第一电极上的上绝缘层的开口中。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第二连接电极形成在设置在所述第二电极上的下绝缘层和设置在所述第一电极上的上绝缘层的开口中。
10.根据权利要求1所述的发光装置,其中第一接合焊盘和第二接合焊盘彼此分离,并且
其中所述发光装置包括电连接到所述第一接合焊盘的第一导电型半导体层、电连接到所述第二接合焊盘的第二导电型半导体层、以及插入在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层,所述有源层被分成两个或多个部分。
11.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述发光装置进一步包括氮化物基半导体堆叠,所述氮化物基半导体堆叠包括所述第一导电型半导体层、所述第二导电型半导体层以及插入在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层,所述氮化物基半导体堆叠具有通过所述第二导电型半导体层和所述有源层暴露所述第一导电型半导体层的区域,
暴露所述第一导电型半导体层的所述区域包括孔,
所述第一电极通过所述孔接触所述第一导电型半导体层,并且
设置在所述孔的至少一些孔上的所述第一电极的部分由第一接合焊盘所覆盖。
12.根据权利要求11所述的发光装置,其中所述孔包括:
第一孔;
与所述第一孔分离的第二孔;以及
连接到所述第二孔并从所述第二孔延伸的第三孔,
所述第三孔具有比所述第一孔和所述第二孔更小的宽度。
13.根据权利要求12所述的发光装置,其中
所述第一接合焊盘覆盖设置在所述第一孔和所述第二孔上的所述第一电极的部分。
14.根据权利要求13所述的发光装置,其中所述第三孔从所述第二孔朝所述第二接合焊盘延伸,并且所述第三孔的至少部分设置在所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘之间的部分下方。
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