[发明专利]具有微盖层的显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201580046255.4 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN106796947B | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 孙海晙;柳重豪;崔时赫 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;谭天 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 盖层 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基底层,所述基底层具有在所述显示装置的第一部与第二部之间的弯曲容许部;
多个有机发光二极管(OLED)元件,所述多个有机发光二极管元件设置在所述基底层的所述第一部上;
在所述有机发光二极管(OLED)元件上方的封装部;
印刷电路膜,所述印刷电路膜附接至所述基底层的所述第二部;
微涂层,所述微涂层设置在所述基底层的所述弯曲容许部上方;以及
其中所述微涂层被布置成覆盖所述封装部的一部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置,还包括多条配线迹线,所述多条配线迹线被布线在所述基底层的所述第一部与所述第二部之间,其中所述微涂层被布置成覆盖所述弯曲容许部中的所述多条配线迹线。
3.根据权利要求2所述的显示装置,还包括在所述封装部上的偏振层,所述偏振层被定位成露出所述封装部的上表面的至少一部分,其中所述微涂层被布置成覆盖所述封装部的上表面的在所述偏振层的边缘与所述封装部的边缘之间的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中覆盖所述封装部的所述上表面的所述微涂层接触所述偏振层的侧壁。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中覆盖所述封装部的所述上表面的所述微涂层包括接触所述偏振层的侧壁的部分和与所述偏振层的所述侧壁间隔开的部分。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述微涂层被布置成覆盖附接在所述显示装置的所述第二部上的所述印刷电路膜的一部分。
7.根据权利要求3所述的显示装置,还包括:
在被布线在所述显示装置的所述第一部与所述第二部之间的所述多条配线迹线下方的缓冲层;以及
在被布线在所述显示装置的所述第一部与所述第二部之间的所述多条配线迹线上的钝化层,其中所述多条配线迹线在所述弯曲容许部中具有应变减小迹线设计,以及其中所述弯曲容许部中的所述钝化层和所述缓冲层具有与所述配线迹线在所述弯曲容许部中的所述应变减小迹线设计对应的图案。
8.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第一部、所述第二部以及所述弯曲容许部中的每一个包括在缺口线与距各个缺口线最近的配线迹线之间的缓冲层蚀刻区域。
9.根据权利要求3所述的显示装置,还包括附接在所述基底层的所述第一部的内表面上的第一支承膜,以及附接在所述基底层的所述第二部的内表面上的第二支承膜,其中所述第一支承膜和所述封装部被布置成与所述封装部相比,所述第一支承膜朝向所述基底层的所述弯曲部进一步向外延伸。
10.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述微涂层由光固化材料形成。
11.根据权利要求3所述的显示装置,其中与在所述印刷电路膜与所述弯曲容许部之间的第二布线区域相比,所述微涂层在所述封装部与所述弯曲容许部之间的第一布线区域中具有更厚的剖面。
12.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述封装部的被所述微涂层覆盖的所述上表面的宽度大于所述印刷电路膜的被所述微涂层覆盖的宽度。
13.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述微涂层在所述封装部的上表面上的高度小于所述微涂层在所述印刷电路膜上的高度。
14.一种制造显示装置的方法,包括:
在基底层上形成缓冲层;
在所述基底层的有源区域中形成多个有机发光二极管(OLED)元件;
在所述有机发光二极管(OLED)元件上方形成封装部;
在所述基底层的非有源区域中形成具有应变减少图案的导线迹线;
对所述基底层进行倒角以产生具有弯曲容许部的带缺口的非有源区域;
对所述缓冲层进行蚀刻,以使所述基底层沿着所述导线迹线的应变减少图案以及沿着缺口线露出;
在所述带缺口的非有源区域中分配微涂层;
固化所述微涂层;以及
其中所述微涂层被布置成覆盖所述封装部的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的