[发明专利]用于太阳能电池制造的蚀刻工艺

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在硅基板上方形成第一掺杂剂区；

在所述第一掺杂剂区上方形成氧化物区，其中所述氧化物区保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺；

在所述硅基板上方形成第二掺杂剂区；

在所述第二掺杂剂区的第一部分上方形成掩模，其中所述掩模保护所述第二掺杂剂区的所述第一部分免于经历所述第一蚀刻工艺；以及

执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板的多个部分，

其中在所述硅基板上方形成所述第二掺杂剂区包括在所述第一掺杂剂区、所述氧化物区和所述硅基板上方形成所述第二掺杂剂区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板的多个部分包括执行定时氧化物蚀刻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板的多个部分包括使用氢氟酸或硝酸中的至少一种进行蚀刻。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成氧化物区包括在所述第一掺杂剂区上形成无掺杂氧化物区。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硅基板上方形成所述第一掺杂剂包括在所述硅基板上方形成硼。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在执行第一蚀刻工艺之前：

从所述第一掺杂剂区和所述第二掺杂剂区驱动掺杂剂，以在所述硅基板中或在所述硅基板上方形成第一掺杂区和第二掺杂区。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括在驱动掺杂剂之前：

在所述硅基板上方形成电介质区；以及

在所述电介质区上方形成硅区，其中驱动掺杂剂包括在所述硅区中形成第一掺杂区和第二掺杂区。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述电介质区上方形成所述硅区包括在所述电介质区上方形成非晶硅区。

9.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在硅基板上方形成硅区；

在所述硅区上形成第一掺杂剂区；

在所述第一掺杂剂区上形成氧化物区，其中所述氧化物区的远离所述第一掺杂剂区的第一部分保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺，并且所述氧化物区的靠近所述第一掺杂剂区的第二部分保护所述第一掺杂剂区免于经历第二蚀刻工艺；

在所述硅区上方形成第二掺杂剂区；

将掺杂剂从所述第一掺杂剂区和所述第二掺杂剂区驱动到所述硅区，其中所述驱动在所述硅区中形成第一掺杂区和第二掺杂区；

在所述第二掺杂剂区的第一部分上形成掩模，其中所述掩模保护所述第二掺杂剂区的所述第一部分免于经历所述第一蚀刻工艺；

执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅区的多个部分并移除所述氧化物区的第一部分；以及

执行所述第二蚀刻工艺以形成隔离所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的沟槽区，

其中在所述硅区上方形成所述第二掺杂剂区包括在所述第一掺杂剂区、氧化物区和所述硅区上方形成所述第二掺杂剂区。

10.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅区的多个部分包括执行定时氧化物蚀刻。

11.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅区的多个部分包括使用氢氟酸或硝酸中的至少一种进行蚀刻。

12.根据权利要求9所述的方法，其中在所述硅基板上方形成所述第一掺杂剂区包括在所述硅基板上方形成硼。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括执行第三蚀刻工艺以移除所述氧化物区。

14.根据权利要求13所述的方法，其中执行第三蚀刻工艺以移除所述氧化物区包括执行金属清洗工艺。