[发明专利]MR传感器及读卡器有效

专利信息
申请号: 201580046938.X 申请日: 2015-08-20
公开(公告)号: CN106796805B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 川手浩;田口祯;东贺津久;泷田幸彦;石川和寿 申请(专利权)人: 日本电产三协株式会社
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39;G01R33/09;G06K7/08;G11B25/04
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 周全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: mr 传感器 读卡器
【权利要求书】:

1.一种MR传感器,其是用于检测磁数据是否记录于卡片的磁条的读卡器用的MR传感器,其中所述卡片具有能够记录第一磁道的磁数据以及第二磁道的磁数据的所述磁条,

其特征在于,

所述MR传感器具有:

第一电阻器和第二电阻器,它们彼此串联地连接,并配置于所述第一磁道通过的位置;以及

第三电阻器和第四电阻器,它们彼此串联地连接,并配置于所述第二磁道通过的位置,

所述第二电阻器和所述第四电阻器与电源连接,

所述第一电阻器和所述第三电阻器接地,

串联连接的所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的第一中点与串联连接的所述第三电阻器与所述第四电阻器之间的第二中点的电势差成为输出。

2.根据权利要求1所述的MR传感器,其特征在于,

所述第一电阻器和所述第二电阻器在所述卡片的通过方向上,以离开在所述第一磁道上记录有零数据之时的所述第一磁道的比特间隔的一半的奇数倍的距离的状态而配置,

所述第三电阻器和所述第四电阻器在所述卡片的通过方向上,以离开在所述第二磁道上记录有零数据时的所述第二磁道的比特间隔的一半的奇数倍的距离的状态而配置。

3.根据权利要求1或2所述的MR传感器,其特征在于,

所述第一电阻器、所述第二电阻器、所述第三电阻器以及所述第四电阻器在与所述卡片的通过方向正交的方向上,被多次折回而形成。

4.一种MR传感器,其是用于检测磁数据是否记录于卡片的磁条的读卡器用的MR传感器,其中所述卡片具有能够记录第一磁道的磁数据以及第二磁道的磁数据的所述磁条,

其特征在于,

所述MR传感器具有:

第一电阻器和第二电阻器,它们彼此串联地连接;以及

第三电阻器和第四电阻器,它们彼此串联地连接,

所述第一电阻器和所述第四电阻器配置于所述第一磁道通过的位置,

所述第二电阻器和所述第三电阻器配置于所述第二磁道通过的位置,

所述第二电阻器和所述第四电阻器与电源连接,

所述第一电阻器和所述第三电阻器接地,

所述第一电阻器、所述第二电阻器、所述第三电阻器以及所述第四电阻器在与所述卡片的通过方向正交的第一方向上被两次以上折回而形成,

串联连接的所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的第一中点与串联连接的所述第三电阻器与所述第四电阻器之间的第二中点的电势差成为输出。

5.根据权利要求4所述的MR传感器,其特征在于,

若将在所述第一磁道上记录有零数据时的所述第一磁道的比特间隔的两倍设为λ1;将在所述第二磁道上记录有零数据时的所述第二磁道的比特间隔的两倍设为λ2;将n1、n2设为0以上的整数、m设为3以上的整数,

则所述第一电阻器、所述第二电阻器、所述第三电阻器以及所述第四电阻器在所述第一方向上被m-1次折回而形成,

所述第一电阻器具有m个第一电阻部,它们形成为与所述第一方向平行的直线状,并且在所述卡片的通过方向上,以n1λ1/m+λ1/2m的间距配置,

所述第二电阻器具有m个第二电阻部,它们形成为与所述第一方向平行的直线状,并且在所述卡片的通过方向上,以n2λ2/m+λ2/2m的间距配置,

所述第三电阻器具有m个第三电阻部,它们形成为与所述第一方向平行的直线状,并且在所述卡片的通过方向上,以n2λ2/m+λ2/2m的间距配置,

所述第四电阻器具有m个第四电阻部,它们形成为与所述第一方向平行的直线状,并且在所述卡片的通过方向上,以n1λ1/m+λ1/2m的间距配置。

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