[发明专利]层叠结构体及其制造方法、半导体装置、以及晶体膜

权利要求书

1.一种层叠结构体，其特征在于，是直接或介由其他层将含有具有刚玉结构的结晶性氧化物作为主要成分的晶体膜在具有刚玉结构的晶体基板上层叠而成的，所述晶体基板具有0.2°～12.0°的偏离角，所述结晶性氧化物至少包含镓，所述晶体膜含有掺杂剂，所述结晶性氧化物是半导体。

2.如权利要求1所述的层叠结构体，其特征在于，

所述晶体基板的偏离角为1°～8°。

3.如权利要求1或2所述的层叠结构体，其特征在于，

所述结晶性氧化物还包含铟及/或铝，包含于所述晶体膜的金属元素中的镓、铟、以及铝的总原子比为0.5以上。

4.如权利要求1或2所述的层叠结构体，其特征在于，

晶体膜的膜厚为1μm以上。

5.如权利要求1或2所述的层叠结构体，其特征在于，

利用原子力显微镜测定的晶体膜的膜表面的中心线平均粗糙度Ra为10nm以下，最大高低差(P-V值)为100nm以下。

6.一种层叠结构体的制造方法，其特征在于，使原料溶液雾化产生雾，然后，向所述雾供给载气，利用所述载气将所述雾供给给基板，使所述雾发生热反应，将由结晶性氧化物构成的晶体膜层叠于所述基板表面的一部分或全部，

所述基板是具有刚玉结构的晶体基板，所述晶体基板具有0.2°～12.0°的偏离角，所述原料溶液包含镓，所述原料溶液包含掺杂剂原料。

7.如权利要求6所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，

使热反应在400℃～700℃的温度下进行。

8.如权利要求6或7所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，

所述晶体基板的偏离角为2°～5°。

9.如权利要求6或7所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，

晶体基板为c面、m面、a面或r面的蓝宝石基板。

10.一种半导体装置，其特征在于，其至少具备权利要求1至5中任一项所述的层叠结构体和电极。

11.一种晶体膜，其特征在于，含有具有刚玉结构的结晶性氧化物作为主要成分，所述晶体膜具有0.2°～12.0°的偏离角，所述结晶性氧化物至少包含镓，所述晶体膜含有掺杂剂，所述结晶性氧化物是半导体。

12.如权利要求11所述的晶体膜，其特征在于，

所述晶体膜的偏离角为1°～8°。

13.如权利要求11或12所述的晶体膜，其特征在于，

所述结晶性氧化物还包含铟及/或铝，包含于所述晶体膜的金属元素中的镓、铟、以及铝的总原子比为0.5以上。

14.如权利要求11或12所述的晶体膜，其特征在于，

所述晶体膜的膜厚为1μm以上。

15.如权利要求11或12所述的晶体膜，其特征在于，

利用原子力显微镜测定的晶体膜的膜表面的中心线平均粗糙度Ra为10nm以下，最大高低差(P-V值)为100nm以下。

16.一种半导体装置，其特征在于，其至少具备权利要求11至15中任意一项所述的晶体膜和电极。