[发明专利]SOI晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种SOI晶圆的制造方法，具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理，该SOI晶圆的制造方法包含：

(A1)测定步骤，将形成有该SOI层的SOI晶圆在该薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；

(A2)旋转步骤，基于借由在该(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在该薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行该薄膜化处理时的该SOI晶圆的旋转位置，使该SOI晶圆绕中心轴旋转而达到该旋转位置；以及

(A3)薄膜化步骤，将经该(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。

2.一种SOI晶圆的制造方法，具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理，其中该SOI晶圆的制造方法包含：

(B0)形成步骤，在氧化性气体氛围下进行热处理而于该SOI层的表面予以形成热氧化膜；

(B1)测定步骤，在仍带有该热氧化膜的状态下，将在该(B0)步骤中形成有热氧化膜的SOI晶圆的SOI膜厚度予以测定；

(B2)旋转步骤，基于借由在该(B1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在该薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行该薄膜化处理时的该SOI晶圆的旋转位置，使该SOI晶圆绕中心轴旋转而达到该旋转位置；以及

(B3)薄膜化步骤，借由批次(batch)式洗净，而因应于该(B1)步骤所得到的SOI膜厚度来控制该SOI层的蚀刻量的同时，对该SOI层予以薄膜化处理，其中该批次式洗净包括在该(B2)步骤中经旋转的SOI晶圆的SOI层表面的热氧化膜去除以及该SOI层的蚀刻。

3.一种SOI晶圆的制造方法，具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的第一及第二薄膜化处理，其中该SOI晶圆的制造方法包含下列步骤：

(C0)形成步骤，在氧化性气体氛围下进行热处理而于该SOI层的表面予以形成热氧化膜；

(C1)测定步骤，在仍带有该热氧化膜的状态下，将在该(C0)步骤中形成有热氧化膜的SOI晶圆的SOI膜厚度予以测定；

(C2)旋转步骤，基于借由在该(C1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在该第一薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行该第一薄膜化处理时的该SOI晶圆的旋转位置，使该SOI晶圆绕中心轴旋转而达到该旋转位置；

(C3)第一薄膜化步骤，借由批次(batch)式洗净，而因应于该(C1)步骤所得到的SOI膜厚度来控制该SOI层的蚀刻量的同时，对该SOI层予以第一薄膜化处理而薄膜化至厚于最终的目标值，其中该批次式洗净包括去除在该(C2)步骤中所旋转出的SOI晶圆的SOI层表面的热氧化膜以及该SOI层的蚀刻；

(C4)测定步骤，测定该第一薄膜化处理后的SOI晶圆的SOI膜厚度；

(C5)旋转步骤，基于借由该(C4)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在该第二薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行该第二薄膜化处理时的该SOI晶圆的旋转位置，使该SOI晶圆绕中心轴旋转而达到该旋转位置；以及

(C6)第二薄膜化步骤，借由包括在该(C5)步骤中经旋转的SOI晶圆的SOI层的蚀刻的洗净，而因应于该(C4)步骤所得到的SOI膜厚度来控制该SOI层的蚀刻量的同时，对该SOI层予以第二薄膜化处理而薄膜化至最终的目标值。

4.如权利要求3所述的SOI晶圆的制造方法，其中该(C6)步骤的洗净是以单片式洗净来进行。

5.如权利要求1至4中任一项所述的SOI晶圆的制造方法，其中该旋转位置的决定被决定在会使一表示经该膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布的最大值的区域与一表示预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布的最大值的区域相重合的位置。

6.如权利要求1至4中任一项所述的SOI晶圆的制造方法，其中该旋转位置的决定被决定在会使一表示经该膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布的最小值的区域与一显示预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布的最小值的区域相重合位置。