[发明专利]多频带低噪声放大器

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

第一路径，被调谐至第一频带；

第二路径，被调谐至第二频带；以及

交叉耦合电路装置，具有耦合至所述第一路径的第一输入端以及耦合至所述第二路径的第二输入端，并且具有耦合至所述第二路径的第一输出端以及耦合至所述第一路径的第二输出端，其中，所述交叉耦合电路装置包括：

第一组晶体管，所述第一组晶体管中的第一晶体管具有耦合至所述第一路径的栅极并且所述第一组晶体管中的第二晶体管具有耦合至所述第二路径的漏极；以及

第二组晶体管，所述第二组晶体管中的第一晶体管具有耦合至所述第二路径的栅极并且所述第二组晶体管中的第二晶体管具有耦合至所述第一路径的漏极。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一路径、所述第二路径、和所述交叉耦合电路装置被包括在低噪声放大器中。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一组晶体管中的所述第一晶体管被配置为接收信号并且将所述信号相移180度。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一组晶体管中的第一晶体管和所述第二组晶体管中的第一晶体管是共源极晶体管。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一频带是2.4吉赫兹(GHz)频带，以及其中所述第二频带是5.6GHz频带。

6.根据权利要求1所述的电子设备，进一步包括耦合至所述第一路径的第一电感-电容电路，其中所述第一电感-电容电路在所述第一频带内的频率处谐振。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述第一电感-电容电路的第一电感器被包括在第一变压器中。

8.根据权利要求1所述的电子设备，进一步包括耦合至所述第二路径的第二电感-电容电路，其中所述第二电感-电容电路在所述第二频带内的频率处谐振。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述第二电感-电容电路的第二电感器被包括在第二变压器中。

10.根据权利要求1所述的电子设备，进一步包括：

第三路径，被调谐至第三频带；

第二交叉耦合电路装置，具有耦合至所述第二路径的第一输入端和耦合至所述第三路径的第二输入端，并且具有耦合至所述第三路径的第一输出端和耦合至所述第二路径的第二输出端；以及

第三交叉耦合电路装置，具有耦合至所述第一路径的第一输入端和耦合至所述第三路径的第二输入端，并且具有耦合至所述第三路径的第一输出端和耦合至所述第一路径的第二输出端。

11.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述第三频带是800兆赫兹(MHz)频带。

12.根据权利要求10所述的电子设备，进一步包括耦合至所述第三路径的第三电感-电容电路，其中所述第三电感-电容电路在所述第三频带内的频率处谐振。

13.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一频带和所述第二频带符合电气和电子工程师协会(IEEE)802.11标准。

14.根据权利要求1所述的电子设备，进一步包括：

晶体管，具有耦合至所述第一路径并耦合至所述第二路径的漏极；以及

双频带匹配网络，具有被配置用于接收射频(RF)信号的输入端以及耦合至所述晶体管的栅极的输出端。