[发明专利]用于形成多孔硅层的方法和装置在审
申请号: | 201580047627.5 | 申请日: | 2015-09-04 |
公开(公告)号: | CN106796963A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 米原隆夫;马修·西马斯;乔纳森·S·弗兰克尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 形成 多孔 方法 装置 | ||
1.一种阳极化浴槽,包含:
(a)外壳,具有保持化学溶液的第一容积和沿着所述外壳的长度的纵轴;
(b)阴极,设置在所述外壳的第一侧处的所述第一容积之内;
(c)阳极,设置在与所述第一侧相对的所述外壳的第二侧处的所述第一容积之内,其中所述阴极和所述阳极的每一个的表面具有给定表面面积;
(d)基板保持器,被以在多个基板保持位置中的所述第一容积之内沿着基板周边按照一个方向保持多个基板,以使得所述基板的表面大体上垂直于纵轴,
其中所述基板保持器被构造以保持具有所述基板的表面的给定表面面积的基板,所述基板的表面的所述给定表面面积大体上等于阳极和阴极的所述表面的所述给定表面面积,
其中第一基板保持位置被设置在相距所述阴极的第一距离处,第二基板保持位置被设置在相距所述阳极的第二距离处,且其余基板保持位置被设置在所述第一和第二基板保持位置之间,其中所述第一距离和所述第二距离分别小于或等于所述多个基板保持位置中相邻基板保持位置之间的距离;
其中所述基板保持器在围绕每个基板的周边形成密封,以当基板被设置在所述基板保持器之内时,在所述多个基板的相邻对基板之间形成多个第二容积;和
(e)多个排放口,流体地耦接至所述第一容积以释放处理气体,其中所述多个排放口的每一个的顶端被设置在所述第一容积中的化学溶液填充水平之上。
2.如权利要求1所述的阳极化浴槽,其中所述第一容积包含:
第三容积,设置在所述第一基板保持位置和所述阴极之间;和
第四容积,设置在所述第二基板保持位置和所述阳极之间;
其中处于或低于化学溶液填充水平的化学溶液在每个所述第二容积、第三容积,和第四容积之间被隔离。
3.如权利要求1所述的阳极化浴槽,其中所述基板保持器包含:
下部,具有由密封材料组成的整体凹形主体;
第一多个凹槽,设置在所述下部的所述整体凹形主体中并被构造以支撑所述多个基板;
上部,设置在所述下部的顶上并具有由密封材料组成的整体凸形主体,其中所述整体凸形主体包含内表面,所述内表面被构造以沿着设置在所述下部的第一多个凹槽中的基板的周边形成密封;
第二多个凹槽,设置在所述上部的所述整体凸形主体中并大体上与所述第一多个凹槽相对设置;和
多个开口,以穿过所述上部的所述整体凸形主体的形式设置以释放处理气体。
4.如权利要求3所述的阳极化浴槽,其中设置在所述下部的所述整体凹形主体中的所述第一多个凹槽和设置在所述上部的所述整体凸形主体中的所述第二多个凹槽被构造以支撑大体上彼此平行的多个基板。
5.如权利要求3所述的阳极化浴槽,其中设置在所述下部的所述整体凹形主体中的所述第一多个凹槽和设置在所述上部的所述整体凸形主体中的所述第二多个凹槽被构造以仅在所述基板的所述周边处支撑所述多个基板的每一个基板。
6.如权利要求3所述的阳极化浴槽,其中以通过所述上部的所述整体凸形主体的形式设置的所述多个开口被设置在由所述基板保持器支撑的所述多个基板的每一个之间。
7.如权利要求1所述的阳极化浴槽,其中所述基板保持器包含:
多个下部,分别具有由密封材料组成的凹形主体和凹槽,所述凹槽设置在所述下部的每一个所述凹形主体内并被构造以支撑基板;
多个上部,分别具有由密封材料组成的凸形主体,其中每个上部被构造以设置在相应下部的顶上,且其中每个凸形主体包含被构造以围绕基板周边形成密封的内表面,所述基板设置在所述相应下部的所述凹形主体的凹槽中;
一个或多个连杆,耦接至所述多个下部;和
一个或多个连杆,耦接至所述多个上部,其中上部和相应下部与后续的上部和相应下部间隔第一距离以允许处理气体的释放。
8.如权利要求7所述的阳极化浴槽,其中所述多个上部的每个凸形主体是整体形成的。
9.如权利要求7所述的阳极化浴槽,其中所述多个上部的每个凸形主体包含由密封材料组成的第一主体和第二主体。
10.如权利要求9所述的阳极化浴槽,其中所述第一主体和所述第二主体包含:
顶表面,
锥形侧壁,
锥形底表面;和
内部凹面,用于沿着所述基板的周边的一部分保持所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的