[发明专利]负型图案形成方法、保护膜形成用组合物及电子元件制法

权利要求书

1.一种负型图案形成方法，其包括：

(a)将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤；

(b)将保护膜形成用组合物涂布于所述感光化射线性或感放射线性膜上而形成保护膜的步骤；

(c)对由所述保护膜被覆的所述感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤；以及

(d)利用包含有机溶剂的显影液，对经曝光的所述感光化射线性或感放射线性膜进行显影的步骤；并且

所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物包含通过酸的作用而极性增大的树脂以及通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物，

所述保护膜含有：包含至少一个选自由醚键、硫醚键、羟基、硫醇基、羰基键及酯键所组成的组群中的基团或键且分子量为3000以下的化合物(A)，以及树脂(X)，且相对于所述保护膜中的全部固体成分，所述化合物(A)的含有率为0.1质量％～30质量％；其中，所述化合物(A)不为链式酰胺、环式酰胺、芳香族胺、链式脂肪族胺及环式脂肪族胺的任一个，且所述化合物(A)为不具有碱性的化合物。

2.根据权利要求1所述的负型图案形成方法，其中所述化合物(A)为包含8个以上碳原子的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的负型图案形成方法，其中所述保护膜的膜厚为10nm～300nm。

4.根据权利要求1或2所述的负型图案形成方法，其中所述化合物(A)为具有至少一个醚键的化合物。

5.根据权利要求4所述的负型图案形成方法，其中所述化合物(A)为具有下述通式(1)所表示的结构的化合物，

式中，

R₁₁表示可具有取代基的亚烷基，

n表示2以上的整数，

*表示结合键。

6.根据权利要求1或2所述的负型图案形成方法，其中所述树脂(X)的氟原子的含有率为20质量％以下。

7.根据权利要求1或2所述的负型图案形成方法，其在形成所述保护膜的步骤(b)之后且进行曝光的步骤(c)之前，还包括将由所述感光化射线性或感放射线性膜以及所述保护膜被覆的所述基板在100℃以上进行加热的步骤。

8.一种保护膜形成用组合物，其用于形成将感光化射线性或感放射线性膜被覆的保护膜，且所述感光化射线性或感放射线性膜是由包含通过酸的作用而极性增大的树脂以及通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物的感光化射线性或感放射线性树脂组合物所形成，

所述保护膜形成用组合物含有具有下述通式(1)所表示的结构且分子量为3000以下的化合物(A)、以及树脂(X)，且相对于所述保护膜中的全部固体成分，所述化合物(A)的含有率为0.1质量％～30质量％；其中，所述化合物(A)不为链式酰胺、环式酰胺、芳香族胺、链式脂肪族胺及环式脂肪族胺的任一个，且所述化合物(A)为不具有碱性的化合物，

式中，

R₁₁表示可具有取代基的亚烷基，

n表示2以上的整数，

*表示结合键。

9.一种电子元件的制造方法，其包含根据权利要求1至7中任一项所述的负型图案形成方法。