[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

说明书

相对于等离子体保护腔室的内部的构件，防止变质和消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体，在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜。在等离子体处理工序中，在含硅膜形成于构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从构件的表面去除含硅膜。

技术领域

本发明的各种方面和实施方式涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。

背景技术

在半导体的制造工艺中，广泛使用了执行以薄膜的堆积或蚀刻等为目的的等离子体处理的等离子体处理装置。作为等离子体处理装置，可列举出进行例如薄膜的堆积处理的等离子体CVD(化学气相沉积，Chemical Vapor Deposition)装置、进行蚀刻处理的等离子体蚀刻装置等。

不过，在等离子体处理装置中，配置于腔室内的构件(以下适当称为“腔室内构件”)在各种等离子体处理的之际暴露于处理气体的等离子体，因此，要求耐等离子体性。对于这一点，在例如专利文献1中公开有如下内容：在对被处理体进行等离子体处理之前，将氧与SiF₄的气体流量比设为1.7以上而供给含有氧的含硅气体，在腔室内构件的表面形成含氟的氧化硅膜作为保护膜，从而提高了腔室内构件的耐等离子体性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第6071573号说明书

发明内容

发明要解决的问题

然而，在含氟的氧化硅膜作为保护膜形成于腔室内构件的表面的现有技术中，处理气体的等离子体所致的氧化硅膜的蚀刻量变多。

即、在现有技术中，将氧与SiF₄的气体流量比设为1.7以上而供给含有氧的含硅气体。另外，使含有氧的含硅气体的等离子体中的氧自由基和Si自由基在腔室内的空间中反应而生成硅氧化物，使生成的硅氧化物作为氧化硅膜堆积于腔室内构件。堆积于腔室内构件上的氧化硅膜含有F等残留卤素，因此，存在被处理气体的等离子体蚀刻了氧化硅膜的膜厚以上的情况。因此，在现有技术中，腔室内构件的表面就变质和消耗，无法充分地保护腔室内构件。

用于解决问题的方案

本发明的一技术方案的等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体，在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜。在等离子体处理工序中，在所述含硅膜形成于所述构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到所述腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在等离子体处理后的所述被处理体输出到所述腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从所述构件的表面去除所述含硅膜。

发明的效果

根据本发明的各种技术方案和实施方式，可实现能够相对于等离子体保护腔室的内部的构件、防止变质和消耗的等离子体处理方法和等离子体处理装置。

附图说明

图1是表示适用于本实施方式的等离子体处理方法的等离子体处理装置的概略剖视图。

图2是表示由本实施方式的等离子体处理装置进行的等离子体处理方法的处理的流程的一个例子的流程图。

图3是用于说明本实施方式中的腔室内的沉积物量的测定点的一个例子的图。