[发明专利]具有选择性细胞粘附的可植入装置和生产方法有效
| 申请号： | 201580049008.X | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN107073171B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | D.勒诺布勒;J-S.托曼;V.帕利索 | 申请（专利权）人： | 卢森堡科学技术研究院;卢森堡健康研究院 |
| 主分类号： | A61L27/30 | 分类号： | A61L27/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张文辉 |
| 地址： | 卢森堡阿尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 选择性 细胞 粘附 植入 装置 生产 方法 | ||
1.可植入装置，所述可植入装置包含具有表面(102，202)的基底(100、200、300、400)，所述可植入装置特征在于：
所述基底的表面的第一部分(110、210、310、410)包含In(X)Ga(1-x)N，其中x在0.001至0.999的范围内，所述第一部分用于直接接触生物细胞或组织，其中所述第一部分促进对所述基底的细胞粘附并且指导其上的细胞生长，并且进一步限定所述装置的半导体组件。
2.根据权利要求1的装置，其中x在0.01至0.88的范围内。
3.根据权利要求1的装置，其中所述表面的第一部分完整覆盖所述基底的表面。
4.根据权利要求2的装置，其中所述表面的第一部分完整覆盖所述基底的表面。
5.根据权利要求1的装置，其中所述表面(202)还包括与所述第一部分(210、310、410)不同的第二部分(220、320、420)，其中所述第二部分(220、320、420)抑制对所述基底的细胞粘附，并且其中所述第二部分包含氮化铟InN。
6.根据权利要求2的装置，其中所述表面(202)还包括与所述第一部分(210、310、410)不同的第二部分(220、320、420)，其中所述第二部分(220、320、420)抑制对所述基底的细胞粘附，并且其中所述第二部分包含氮化铟InN。
7.根据权利要求5的装置，其中所述第一部分(210)和所述第二部分(220)完整覆盖所述基底(200)的表面(202)。
8.根据权利要求6的装置，其中所述第一部分(210)和所述第二部分(220)完整覆盖所述基底(200)的表面(202)。
9.根据权利要求1至8中任一项的装置，其中所述基底包括氮化铟InN。
10.根据权利要求1至8中任一项的装置，其中在所述基底的所述表面上以薄层提供所述第一和/或第二部分。
11.根据权利要求9的装置，其中在所述基底的所述表面上以薄层提供所述第一和/或第二部分。
12.根据权利要求1至8中任一项的装置，其中在所述基底的所述表面上以厚层提供所述第一和/或第二部分。
13.根据权利要求9的装置，其中在所述基底的所述表面上以厚层提供所述第一和/或第二部分。
14.根据权利要求1至8、11和13中任一项的装置，其中所述第一部分在所述基底的表面上限定图案，沿着所述图案增强细胞粘附。
15.根据权利要求9的装置，其中所述第一部分在所述基底的表面上限定图案，沿着所述图案增强细胞粘附。
16.根据权利要求10的装置，其中所述第一部分在所述基底的表面上限定图案，沿着所述图案增强细胞粘附。
17.根据权利要求12的装置，其中所述第一部分在所述基底的表面上限定图案，沿着所述图案增强细胞粘附。
18.根据权利要求14的装置，其中所述图案包括至少一条线。
19.根据权利要求15-17中任一项的装置，其中所述图案包括至少一条线。
20.根据权利要求14的装置，其中所述图案由沿着至少一条线布置的包含InN的柱系列定界。
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