[发明专利]氮化物半导体模板的制造方法有效
| 申请号： | 201580049211.7 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN107078033B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C30B25/18;C30B29/38;H01L21/203;H01L33/12;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 模板 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，具有：
在表面呈格子状配置顶端宽度为0.01μm以上且0.4μm以下的圆锥状或角锥状的凸部而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层生长到比所述凸部的所述顶端宽度厚、并且11nm以上且400nm以下的厚度而形成的工序；和
在所述缓冲层上使氮化物半导体层生长而形成的工序，
所述凸部的所述顶端宽度是：在交点T3处相交的2条切线L1、L2以及平行线L3形成的三角形T1T2T3的底边T1T2的长度，
所述2条切线L1、L2是以所述蓝宝石基板表面的所述凸部的外形线中的所述凸部高度h的一半的位置、即h/2为接点而成的切线，
所述平行线L3是与所述凸部的所述外形线的顶点T0相接且与所述蓝宝石基板的未形成所述凸部的表面平行的平行线。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，
在形成所述缓冲层的工序中，
作为所述缓冲层，使GaN层或AlN层在600℃以下的温度下生长。
3.如权利要求1所述的氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，
在形成所述缓冲层的工序中，
作为所述缓冲层，使AlN层在1000℃以上的温度下生长。
4.如权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，
在形成所述氮化物半导体层的工序中，
作为所述氮化物半导体层，使GaN层、AlGaN层、InAlGaN层中的任一个生长而形成。
5.如权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，
所述缓冲层和所述氮化物半导体层通过HVPE法或MOVPE法而生长。
6.如权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，
在形成所述缓冲层的工序中，在表面呈格子状配置所述顶端宽度为45nm以上且150nm以下的圆锥状或角锥状的凸部而形成的蓝宝石基板上，使所述缓冲层生长到比所述凸部的所述顶端宽度厚、并且125nm以上且300nm以下的厚度而形成。
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