[发明专利]传达方向选择性光衰减的设备和方法有效
申请号: | 201580049799.6 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN107111236B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | V.德米特里耶夫 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMS有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传达 方向 选择性 衰减 设备 方法 | ||
一种传达方向选择性光衰减的方法、设备。一种向光掩模传达方向选择性光衰减的方法可以包含对不同入射方向的光线分配不同衰减等级。所述方法还可以包括计算遮蔽元件阵列,以取决于光线的入射方向,用所分配的不同衰减等级来衰减光线。所述方法还可以包括在光掩模的基板内雕刻遮蔽元件阵列。
技术领域
本发明总体上涉及一种用于光刻工艺的精细光控制。更具体地,本发明涉及一种用于制造方向选择性光衰减器的设备和方法及其方向选择性光衰减器。关于向光掩模传达方向选择性光衰减描述了本发明的实施例。
背景技术
随着光刻技术的发展,基板的光致抗蚀剂层上写入的图案的特征变得越来越小。
所用的辐照的波长以及缩小光学系统从照明的掩模捕捉足够衍射级的能力(受所用的光学透镜的数值孔径影响)限制在光刻工艺中将小的细节的清楚且精细的图案投射到晶片上的能力。
临界尺寸(CD)相对于它们的期望值的变化,即,所制造的晶片上的特征尺寸的变化,可能损害工艺窗口和产量。
引入了各种技术以克服CD的变化。例如,优化引导至光掩模上的辐照的曝光剂量,以使产生在晶片上的图案的不同部分的期望CD与实际CD之间更好地匹配。
处理CD变化的另一种方式涉及在光掩模基板内的在具有可变的光学密度的图案部分上方的特定位置中植入遮蔽元件。
发明内容
根据一些实施例,提供了一种向光掩模传达方向选择性光衰减的方法。方法可以包含对不同入射方向的光线分配不同衰减等级。方法还可以包括计算遮蔽元件阵列,以取决于光线的入射方向,用分配的不同衰减等级来衰减光线。方法还可以包括在光掩模的基板内雕刻遮蔽元件阵列。
在一些实施例中,不同入射方向可以包括不同方位角方向。
在一些实施例中,不同入射方向可以包括不同入射角。
在本发明的一些实施例中,遮蔽元件阵列可以设计为对不同方向的入射光线呈现不同散射截面。
在本发明的一些实施例中,遮蔽元件阵列的一个或多个特性在遮蔽元件阵列上局部地变化。
在一些实施例中,遮蔽元件阵列的一个或多个特性可以选自由以下特性组成的组:像素尺寸、形状、像素取向、阵列的像素密度以及阵列中的遮蔽元件的布置。在本说明书的语境中,“像素”通常是指一种遮蔽元件阵列的元件。
根据一些实施例,遮蔽元件阵列可以包含至少两个移位的实质上平行的遮蔽元件的二维队形。
在一些实施例中,至少两个移位的实质上平行的遮蔽元件的二维队形可以包含三个遮蔽元件的二维队形。
在一些实施例中,三个遮蔽元件的二维队形可以包含两个外部的遮蔽元件的二维队形和外部队形之间的第三遮蔽元件的二维队形,并且两个外部队形可以实质上对齐,而第三队形可以相对于两个外部队形移位。
根据本发明的一些实施例,至少两个移位的实质上平行的遮蔽元件的二维队形可以相对于彼此移位。
在一些实施例中,二维队形的遮蔽元件可以为实质上非对称的。
在一些实施例中,遮蔽元件阵列的遮蔽元件中的一些或全部可以设置为距基板上的图案化涂层40至100微米内。
根据本发明的一些实施例,提供了一种向光掩模传达方向选择性光衰减的设备。所述设备可以包含激光源;光束传递系统和聚焦光学系统;以及控制单元,其配置为使用激光源、光束传递系统以及聚焦光学系统在光掩模的基板内雕刻遮蔽元件阵列,其中遮蔽元件阵列配置为取决于光线的入射方向,以不同衰减等级来衰减光线。
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