[发明专利]注入调制器

权利要求书

1.一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括：

-光波导(20)，以及

-二极管结构(30)，所述二极管结构包括至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个弱掺杂或未掺杂的中间部分(300)，其中，

-所述p掺杂半导体部分(110)在所述波导(20)的纵向方向(L)上相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移安排，并且

-所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度是恒定的，

其特征在于，

-所述p掺杂半导体部分(110)在所述波导(20)的纵向方向(L)上并且相对于波导中心位于所述波导(20)的一侧上，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，

-所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)在每种情况下都在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于波导纵向方向(L)横向地延伸，并且

-所述p掺杂半导体部分(110)在所述波导(20)的纵向方向(L)上、在每种情况下都不与所述n掺杂半导体部分(210)重叠。

2.如权利要求1所述的注入调制器(10)，

其特征在于，

-所述波导(20)是脊波导，所述脊波导包括波导抬高的脊部分(23)以及在脊纵向方向上平行于所述脊部分(23)走向的两个相邻的腹板部分(24，25)，

-所述p掺杂半导体部分(110)位于所述两个腹板部分(24，25)中的一个腹板部分中，

-所述n掺杂半导体部分(210)位于所述两个腹板部分(24，25)中的另一个腹板部分中，并且

-至少所述脊部分的中心不含所述p掺杂半导体部分和所述n掺杂半导体部分(110，210)。

3.如权利要求2所述的注入调制器(10)，

其特征在于，

整个脊部分(23)不含所述p掺杂半导体部分和所述n掺杂半导体部分(110，210)。

4.如前述权利要求中任一项所述的注入调制器(10)，

其特征在于，

-所述p掺杂半导体部分(110)形成p掺杂梳状结构(100)的齿部分，所述p掺杂梳状结构的齿在波导纵向方向(L)上被安排成彼此间隔，并且在每种情况下都从位于所述波导(20)之外的公共接触连接开始在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于波导纵向方向(L)从所述波导(20)之外横向地延伸，并且

-所述n掺杂半导体部分(210)形成n掺杂梳状结构(200)的齿部分，所述n掺杂梳状结构的齿在波导纵向方向(L)上被安排成彼此间隔，并且从位于所述波导(20)之外的公共接触连接开始在每种情况下都在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于波导纵向方向(L)从所述波导(20)之外横向地延伸。

5.如权利要求2所述的注入调制器(10)，

其特征在于，

-所述脊波导包括波导层(21)以及位于下面的下包层(22)，并且-对所述n掺杂半导体部分(210)的掺杂和对所述p掺杂半导体部分(110)的掺杂在每种情况下都从所述脊波导的所述波导层(21)的表面(21a)延伸至所述下包层(22)。

6.如权利要求3所述的注入调制器(10)，

其特征在于，

-所述脊波导包括波导层(21)以及位于下面的下包层(22)，并且-对所述n掺杂半导体部分(210)的掺杂和对所述p掺杂半导体部分(110)的掺杂在每种情况下都从所述脊波导的所述波导层(21)的表面(21a)延伸至所述下包层(22)。

7.如权利要求1-3和5-6中任一项所述的注入调制器(10)，

其特征在于，

-所述p掺杂半导体部分(110)的宽度(b)在每种情况下都小于相邻的p掺杂半导体部分(110)之间的距离(A)，并且

-所述n掺杂半导体部分(210)的宽度(b)在每种情况下都小于相邻的n掺杂半导体部分(210)之间的距离(A)。