[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管及其制作方法，更详细地，薄膜晶体管及其制作方法包括：活性图案，由氮化物形成；以及保护图案，配置于上述活性图案上，由非氮化物形成。

背景技术

最近，显示器面前处于大面积化、最高分辨率(HUD，Ultra High Definition)化、高速驱动化，并且，具有对于能够适用于可穿戴设备(wearable device)等的柔性显示器的要求。以往的非晶质硅半导体元件(Amorphous Si TFT)具有低的移动度(0.5cm²/Vs以下)，因此，很难使用非晶质硅半导体元件来实现大面积及最高分辨率的显示器，并很难体现柔性显示器装置。

为了解决上述问题，正在进行着对于有机薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管等的研究。例如，在韩国专利公开公报10-2011-0095530(申请号10-2010-0015052)公开了减少工作电压，为了制作工序的简化而包括在上部具有凹陷区域的绝缘膜及配置于上述栅极绝缘膜的上述凹陷区域内的有机半导体层的有机薄膜晶体管。

作为另一例，在韩国专利公开公报10-2008-0054941(申请号10-2006-0127671)中公开了为了防止在大面积显示装置发生的信号延迟，为使化合物半导体层和源/漏电极良好地接触，而由第一导电层和第二导电层形成源/漏电极的技术，上述第二导电层由低电阻形成。

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明所要解决的第一技术问题在于，提供高可靠性的薄膜晶体管及其制作方法。

本发明所要解决的再一技术问题在于，提供高移动度的薄膜晶体管及其制作方法。

本发明所要解决的另一技术问题在于，提供收益率得到提高的薄膜晶体管的制作方法。

本发明所要解决的技术问题并不局限于上述技术问题。

技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供薄膜晶体管。

根据一实施例，薄膜晶体管可包括：基板；活性图案(active pattern)，配置于上述基板上，包括氮化物(nitride)；保护图案，配置于上述活性图案上，包括非氮化物(non nitride)；栅电极，与上述活性电极重叠；以及栅极绝缘膜，形成于上述栅电极及上述活性图案之间。

根据一实施例，上述保护图案可由半导体性非氮化物形成，上述活性图案具有大于上述保护图案的移动度。

根据一实施例，上述薄膜晶体管可包括：钝化膜，覆盖上述保护图案；源电极，贯通上述钝化膜，与靠近上述栅电极一侧的上述保护图案的一部分相接触；以及漏电极，贯通上述钝化膜，与靠近上述栅电极一侧的上述保护图案的一部分相接触。

根据一实施例，上述薄膜晶体管还可包括上述栅电极一侧的源电极及上述栅电极另一侧的漏电极，上述源电极及上述漏电极分别与靠近上述栅电极的上述一侧及上述另一侧的上述保护图案的一部分相接触。

根据一实施例，上述活性图案可配置于上述保护图案及上述栅电极之间。

根据一实施例，上述保护图案可配置于上述活性图案及上述栅电极之间。

根据一实施例，上述活性图案可由第一元素、第二元素及氮的化合物形成，上述保护图案由上述第一元素及上述第二元素的化合物形成。

根据一实施例，上述第一元素可包括锌，上述第二元素包括氧。

根据一实施例，上述保护图案的厚度可以小于上述活性图案的厚度。

根据一实施例，上述保护图案可以与上述活性图案直接接触(directly contact)。

为了解决上述技术问题，本发明提供薄膜晶体管的制作方法。

根据一实施例，上述薄膜晶体管的制作方法可包括：在基板上形成包括氮化物的活性膜的步骤；在上述活性膜上形成包括非氮化物的保护膜的步骤；以及按上述保护膜及上述活性膜依次形成图案，来形成层叠于上述基板上的活性图案及保护图案的步骤，上述保护膜从用于上述活性膜的形成图案的溶液工序保护上述活性膜。

根据一实施例，上述活性膜利用可包括第一元素的第一源、包括第二元素的第二源及包括氮的第三源形成，上述保护膜利用上述第一元素及上述第二元素来与通过上述活性膜的制作方法相同制作方法形成。

根据一实施例，在上述薄膜晶体管的制作方法中，在形成上述活性膜之前，还可包括：在上述基板上形成栅电极的步骤；以及在栅电极上形成栅极绝缘膜的步骤。