[发明专利]一种基于虚拟阴极沉积（VCD）的薄膜制造工艺

权利要求书

1.一种薄膜沉积装置，其特征在于：包括，

一空心阴极、 一衬底托架和一靶材托架，

所述衬底托架和所述靶材托架相对设置在所述空心阴极两侧，

一等离子体供应元件，用于在所述空心阴极靠近所述靶材托架的端部向所述空心阴极内部提供等离子体，和

一动力单元，与所述空心阴极连接，用于给所述空心阴极提供一高压脉冲，

当所述等离子体供应元件向所述空心阴极提供等离子体且所述空心阴极受到高压脉冲时，形成一虚拟等离子体阴极，

所述虚拟等离子体阴极形成一电子束，所述电子束朝向所述靶材托架上的靶材，其中被消融的靶材羽流通过空心阴极。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述等离子体供应元件包括一与所述空心阴极相邻并且限定一气体容器的空心帽形电极。

3.根据权利要求2所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述空心帽形电极通过绝缘环与所述空心阴极隔开，气流狭缝从所述气体容器延伸到所述空心阴极内部。

4.根据权利要求3所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述气流狭缝的宽度范围为0.1毫米至10毫米。

5.根据权利要求2-4中任意一权利要求所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：还包括与所述空心阴极连接的电触发单元，用于在所述空心阴极内部产生初始等离子体。

6.根据权利要求5所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述电触发单元产生电脉冲的电压范围为1kV至60kV。

7.根据权利要求6所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述电触发单元产生电脉冲的电流范围为0.01kA至1kA。

8.根据权利要求6-7中任意一权利要求所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述电触发单元产生电脉冲的持续时间小于1微秒。

9.根据权利要求2-4或6-7中任意一权利要求所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：还包括用于向气体容器提供气体的气体导管。

10.根据权利要求9所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述气体导管将所述空心阴极与电触发单元导通连接。

11.根据权利要求1-4、6-7或10任意一项所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述空心阴极是圆柱形的。

12.根据权利要求11所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述空心阴极具有一纵轴，所述纵轴是所述靶材托架上靶材表面以及所述衬底托架上衬底表面的法线。

13.根据权利要求11所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述空心阴极的直径范围为0.1毫米至100毫米。

14.根据权利要求13所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述空心阴极的直径范围为2毫米至40毫米。

15.根据权利要求13所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述空心阴极的直径范围为0.1毫米至2毫米。

16.根据权利要求12-15中任意一权利要求所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述空心阴极的直径长度比的范围为0.1至10。

17.根据权利要求12-15中任意一权利要求所述的一种薄膜沉积装置，其特征在于：所述靶材托架上靶材表面到所述空心阴极的距离与所述空心阴极的直径的比值范围为0.1至10。