[发明专利]制成具有绝缘体上硅衬底的嵌入式存储器设备的方法

权利要求书

1.一种形成半导体设备的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括硅、直接在所述硅上方的第一绝缘层和直接在所述第一绝缘层上方的硅层；

执行蚀刻工艺，以便从所述衬底的第二区域移除所述硅层和所述第一绝缘层，同时将所述第一绝缘层和所述硅层保持在所述衬底的第一区域中；

在所述衬底的所述第一区域中的所述硅层上方和在所述衬底的所述第二区域中的所述硅上方形成第二绝缘层；

在所述衬底的所述第一区域中形成第一多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所述第二绝缘层、所述硅层和所述第一绝缘层，并且延伸到所述硅中；

在所述衬底的所述第二区域中形成第二多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所述第二绝缘层，并且延伸到所述硅中；

在所述第一多个沟槽和所述第二多个沟槽中形成绝缘材料；

在所述衬底的所述第一区域中形成逻辑设备，其中所述形成所述逻辑设备中的每个包括：

在所述硅层中形成间隔开的源极区和漏极区，以及

在所述硅层的一部分上方且在所述源极区和所述漏极区之间形成导电栅并且与所述硅层的一部分绝缘；

在所述衬底的所述第二区域中形成存储器单元，其中所述形成所述存储器单元中的每个包括：

在所述硅中形成间隔开的第二源极区和第二漏极区，并且限定介于所述第二源极区和所述第二漏极区之间的沟道区，

在所述沟道区的第一部分上方形成浮栅且与所述沟道区的第一部分绝缘，以及

在所述沟道区的第二部分上方形成选择栅且与所述沟道区的第二部分绝缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述第二区域中的所述第二源极区和所述第二漏极区比形成于所述第一区域中的所述源极区和所述漏极区更深地延伸到所述衬底中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述第二区域中的所述第二源极区和所述第二漏极区以比所述第一区域中的所述硅层的厚度更深地延伸到所述衬底中。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二绝缘层上方形成第三绝缘层，其中所述第一多个沟槽和所述第二多个沟槽延伸穿过所述第三绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述存储器单元中的每个还包括：

在所述浮栅上方形成控制栅且与所述浮栅绝缘；以及

在所述第二源极区上方形成擦除栅且与所述第二源极区绝缘。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述存储器单元中的每个还包括：

在所述第二源极区上方形成擦除栅且与所述第二源极区绝缘。