[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种用于产生弯曲的图像传感器芯片的方法，包括：

在图像传感器芯片的第一表面上放置衬底，其中所述图像传感器芯片的所述第一表面与所述图像传感器芯片的第二表面相对，以及其中所述图像传感器芯片的所述第二表面包括被配置为响应于接收光而产生电信号的光传感器；以及

增加所述衬底的体积至少直到通过增加所述衬底的体积而产生的弯曲力被施加到所述图像传感器芯片，从而产生所述弯曲的图像传感器芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述弯曲的图像传感器芯片的所述第二表面具有内凹球面形状或非球面形状。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述图像传感器芯片的所述第一表面上放置所述衬底包括：

使用界面层将所述图像传感器芯片的所述第一表面耦合到所述衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括金属合金，以及其中增加所述衬底的体积包括：

将所述衬底暴露至氢以允许所述衬底吸收所述氢。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括金属合金，以及其中增加所述衬底的体积包括：

将电流施加至所述衬底的至少一部分以执行氧化反应。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属合金包括铝或钛。

7.根据权利要求1所述的方法，其中增加所述衬底的体积包括：

将所述衬底暴露至锂化处理中的锂基化学品。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括聚合物或弹性体，以及其中增加所述衬底的体积包括：

将所述衬底暴露至水合处理或溶剂化处理中的一个或多个化学品。

9.根据权利要求1所述的方法，其中增加所述衬底的体积包括：

将受控的温度、压力或电压施加至所述衬底的特定部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在增加所述衬底的体积之前，所述衬底具有第一厚度分布，以及其中在增加所述衬底的体积之后，所述衬底具有不同于所述第一厚度分布的第二厚度分布。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

与所述图像传感器的所述第二表面相邻地放置成形模具。

12.根据权利要求1所述的方法，其中增加所述衬底的体积包括使所述衬底膨胀。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将膨胀剂引入所述衬底，所述膨胀剂被配置为被吸收至所述衬底的至少一部分中。

14.根据权利要求1所述的方法，其中增加所述体积包括将膨胀剂插入至所述衬底的至少一部分中。

15.一种图像传感器设备，包括：

弯曲的图像传感器芯片，其具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第二侧包括被配置为响应于接收光而产生电信号的一个或多个光传感器；以及

体积变化衬底，其与所述弯曲的图像传感器芯片的所述第一侧接触，所述体积变化衬底的体积已增加，以便施加弯曲力来形成所述弯曲的图像传感器芯片。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述弯曲的图像传感器芯片的所述第二侧包括内凹球面形状或非球面形状。

17.根据权利要求15所述的设备，其中所述体积变化衬底包括氢化金属。

18.根据权利要求17所述的设备，其中所述氢化金属包括氢化钛或氢化钒。