[发明专利]半导体发光组件在审
| 申请号： | 201580050792.6 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN107078189A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 酒井健滋;池田淳 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 组件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体发光组件，具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层，其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下；
该阱层由化学式(AlxGal-x)yIn1-yP的化合物半导体所构成，其中0＜x≦0.06、0＜y＜1；以及
该障壁层由化学式(AlmGal-m)nIn1-nP的化合物半导体所构成，其中0≦m≦1、0＜n＜1。
2.如权利要求1所述的半导体发光组件，其中该量子阱活性层的总膜厚为200nm以上及300nm以下。
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