[发明专利]传递方法和装置以及计算机程序产品有效

专利信息
申请号: 201580051087.8 申请日: 2015-09-09
公开(公告)号: CN107077065B 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: M.A.维楚伦 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张同庆;陈岚
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传递 方法 装置 以及 计算机 程序 产品
【说明书】:

一种将柔性层传递至衬底的方法利用了柔性层中的局部凸起,其不与衬底形成接触。该局部凸起前进到衬底上的对准标记的位置。当需要对准调节时,利用处于合适位置的局部凸起进行对准调节,使得当完全使柔性层迎着衬底前进时,更加可复现的定位是可能的。

技术领域

发明涉及一种以精确对准机械地使柔性印模接触到衬底上的方法以及一种使用该接触方法以便通过利用柔性印模上的压印图案将可压印层压印到衬底上而压印衬底的方法。

本发明进一步涉及一种用于执行所述方法的计算机程序产品以及一种实现该计算机程序产品的控制器。

本发明还进一步涉及一种被配置成实现所述方法的装置。

背景技术

压印光刻(lithography)作为更传统的(基于掩模的)光学光刻技术的可行的替代方案正在引起兴趣,因为压印光刻有希望能够在传递至诸如半导体器件的衬底之类的衬底上的图案中提供更小的特征尺寸。在诸如衬底共形压印光刻(SCIL)之类的压印光刻技术中,使在其表面上包括特征图案的柔性印模与这样的衬底接触,所述衬底典型地承载抗蚀剂材料,所述抗蚀剂材料通过特征图案压印。抗蚀剂材料随后被显影,例如固化,其后,从抗蚀剂材料释放特征图案以便在衬底上留下图案化抗蚀剂层。

这种类型的技术中的一个重要方面是在晶片级区域上实现纳米精度覆盖对准,以便允许对于多层设备制造启用所谓的“纳米压印”技术。这将允许该技术用于多层设备制造。

先前的方法使用了小面积刚性或者坚硬印模,其然后需要对准和压印许多次以便填入整个晶片。可替换地,单刚性晶片级印模用来避免印模中的失真,但是这要求将高的压力和力施加至印模和衬底以便形成共形接触。此外,在形成接触之前,印模和衬底需要以最终的精度对准,避免在接触期间的附加移位和变形,因为一旦这两个板接触,那么就不可能校正任何位置误差。

先前,软印模压印光刻方法不能实现低于数十微米的精确覆盖对准,因为软印模将引入强烈的失真。然而,已经证明,利用SCIL并且利用适当的印模设计和印模放置工装(tooling),可以实现无失真压印和纳米精度覆盖。

SCIL工艺利用了具有可以向其施加真空(负相对压力)或者正压力的通道阵列的板。压力控制将印模吸到板上或者在别的情况下将印模推到目标衬底上。在商业SCIL工具中,对准过程涉及在平坦配置中将印模置于板上,所有通道施加真空。衬底相对于印模对准。然后,应用移位偏移校正方法。这涉及使印模的凸起与衬底接触,并且在存在接触时测量所述对准。

释放凸起,使得接触被移除,并且可以在使凸起再次与衬底接触之前进行位置调节。

该校正过程花费时间。首先,必须确定移位偏移。最终的覆盖误差由移位偏移和工具对准误差二者造成。移位偏移由最初凸出以便横跨到衬底的间隙的印模造成。印模从其平坦状态到具有凸起的状态的这种凸出引起可仅仅以100-1000nm的精度复现的偏移。

WO 2008/087573更详细地公开了该已知的压印方法,并且也公开了一种改进,该改进涉及在进行位置调节的同时维持与印模的凸出部分的接触。

图1以简化的形式示出了WO 2008/087573中公开的方法。

印模10由板110保持。与板110相对的是可横向移动并且因此用作受驱动卡盘的衬底载体120。目标衬底(未示出)安装在衬底载体120上。也存在参考载体122。参考载体122和衬底载体120可相对于彼此移动以提供所需的对准校正。

凸起在印模10中形成,并且使其与参考载体122接触,如顶部图像所示。凸起尺寸增加以便到达衬底载体120上的对准标记,使得对准可以被测试,如中间图像所示。

如果需要对准,凸起尺寸(在这种情况下为凸起宽度)减小以从衬底载体释放印模16,使得衬底载体可以移动。

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