[发明专利]半导体芯片的背侧上的电子元件集成

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

带有基板的第一半导体管芯，所述基板包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

集成到所述第一侧上的第一电子元件集；

集成到所述第二侧上的第二电子元件集；以及

一个或多个通过所述基板的穿板通孔以将所述第一电子元件集中的一者或多者与所述第二电子元件集中的一者或多者耦合。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电子元件集包括晶体管或有源电路元件中的一者或多者。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电子元件集包括输入/输出设备、薄膜晶体管(TFT)、无源电路元件、或用于所述半导体器件的静电放电(ESD)保护的电子元件中的一者或多者。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述无源电路元件或用于静电放电(ESD)保护的电子元件中的至少一者包括薄膜二极管。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括集成到所述第一侧或所述第二侧中的至少一者上的一个或多个互连、金属导线、或焊球。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括与所述第一半导体管芯相堆叠的第二半导体管芯，其中所述第一半导体管芯的所述第二侧与所述第二半导体管芯的有源侧形成界面。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯通过穿硅堆叠(TSS)来堆叠。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括与所述第一半导体管芯相堆叠的第二半导体管芯，其中所述第一半导体管芯的所述第二侧与所述第二半导体管芯的有源侧形成界面。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯通过穿硅堆叠(TSS)来堆叠。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基板由硅制成并且所述一个或多个穿板通孔中的至少一者是穿硅通孔(TSV)或穿玻通孔(TGV)。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件集成到选自包括以下各项的组的设备中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、移动电话、以及计算机。

12.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的第一半导体管芯的基板；

在所述第一侧上集成第一集合的电子元件；

在所述第二侧上集成第二集合的电子元件；以及

形成一个或多个穿透所述基板的穿板通孔以供将所述第一集合的电子元件中的一者或多者与所述第二集合的电子元件中的一者或多者耦合。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一集合的电子元件包括晶体管或有源电路元件中的一者或多者。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二集合的电子元件包括输入/输出设备、薄膜晶体管(TFT)、无源电路元件、或用于所述半导体器件的静电放电(ESD)保护的电子元件中的一者或多者。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述无源电路元件或用于静电放电(ESD)保护的电子元件中的至少一者是薄膜二极管。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述第一侧或所述第二侧中的至少一者上集成一个或多个互连、金属导线、或焊球。

17.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括使第二半导体管芯与所述第一半导体管芯相堆叠，其中所述第一半导体管芯的所述第一侧与所述第二半导体管芯的有源侧形成界面。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述堆叠包括穿硅堆叠(TSS)。

19.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括使第二半导体管芯与所述第一半导体管芯相堆叠，其中所述第一半导体管芯的所述第二侧与所述第二半导体管芯的有源侧形成界面。