[发明专利]具有改进的脉冲形状读出的固态光电倍增管有效
申请号: | 201580051138.7 | 申请日: | 2015-08-13 |
公开(公告)号: | CN106716993B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | S.I.多林斯基;J.郭;D.L.麦克丹尼尔;R.M.曼耶什瓦;G.付 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H04N5/365 | 分类号: | H04N5/365;H04N5/3745 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶培勇;付曼 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 脉冲 形状 读出 固态 光电倍增管 | ||
1.一种固态光电倍增管,包括:
多个像素,其中所述多个像素的各像素包括多个子像素;
缓冲放大器的第一集合,其中所述缓冲放大器的第一集合的各缓冲放大器分别耦合到所述多个子像素的子像素,其中所述缓冲放大器的第一集合被复用并且配置成改进所述固态光电倍增管的读出脉冲形状,以及
控制电路,被集成到所述固态光电倍增管,并且该控制电路配置成:监视所述多个子像素的参数,确定是否需要调整所述缓冲放大器的第一集合中至少一个缓冲放大器的Vbias和增益中至少一方,并且向所述缓冲放大器的第一集合中所述至少一个缓冲放大器提供信号,以调整所述缓冲放大器的第一集合中所述至少一个缓冲放大器的所述Vbias和增益中至少一方。
2.如权利要求1所述的固态光电倍增管,其中,所述缓冲放大器与所述子像素集成地形成。
3.如权利要求1所述的固态光电倍增管,其中,所述缓冲放大器的各个相互并联耦合,以形成单输出。
4.如权利要求1所述的固态光电倍增管,其中,所述缓冲放大器的第一集合包括多组缓冲放大器,其中各组缓冲放大器耦合到多个二级缓冲放大器的相应二级缓冲放大器。
5.如权利要求4所述的固态光电倍增管,其中,所述多个二级缓冲放大器耦合到三级缓冲放大器。
6.如权利要求5所述的固态光电倍增管,其中,所述三级缓冲放大器耦合到读出电子器件。
7.如权利要求4所述的固态光电倍增管,其中,所述多个二级缓冲放大器耦合到读出电子器件。
8.一种硅光电倍增管阵列,包括:
多个子像素,分组设置以形成像素;
多个缓冲放大器,分别耦合到所述多个子像素;
多个二级缓冲放大器,其中,各组子像素耦合到所述多个二级缓冲放大器的二级缓冲放大器,其中所述多个缓冲放大器和所述多个二级缓冲放大器被复用并且配置成改进所述硅光电倍增管阵列的读出脉冲形状,以及
控制电路,被集成到所述硅光电倍增管阵列,并且该控制电路配置成:监视所述多个子像素的参数,确定是否需要调整所述多个缓冲放大器中至少一个缓冲放大器的Vbias和增益中至少一方,并且向所述多个缓冲放大器中所述至少一个缓冲放大器提供信号,以调整所述多个缓冲放大器中所述至少一个缓冲放大器的所述Vbias和增益中至少一方。
9.如权利要求8所述的硅光电倍增管阵列,其中,所述缓冲放大器与所述子像素集成地形成。
10.如权利要求8所述的硅光电倍增管阵列,其中,所述多个缓冲放大器的各缓冲放大器相互并联耦合,以形成单输出。
11.如权利要求8所述的硅光电倍增管阵列,其中,所述多个二级缓冲放大器耦合到三级缓冲放大器。
12.如权利要求8所述的硅光电倍增管阵列,其中,所述多个二级缓冲放大器耦合到读出电子器件。
13.如权利要求11所述的硅光电倍增管阵列,其中,所述三级缓冲放大器耦合到读出电子器件。
14.一种用于监测固态光电倍增管的方法,包括:
监测固态光电倍增管的多个子像素的参数,其中所述多个子像素分组设置以形成像素,并且其中各子像素具有与其耦合的缓冲放大器,并且,进而其中多个所述缓冲放大器被复用并且配置成改进所述固态光电倍增管的读出脉冲形状;
确定是否需要调整所述子像素的所述缓冲放大器的Vbias或增益中的至少一个;以及
向所述缓冲放大器提供信号,以调整所述缓冲放大器的所述Vbias或增益中的至少一个。
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