[发明专利]无基板柔性显示器及其制造方法在审
申请号: | 201580051235.6 | 申请日: | 2015-08-13 |
公开(公告)号: | CN107111984A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 余晓军;魏鹏;袁泽;刘自鸿 | 申请(专利权)人: | 柔宇科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/30 | 分类号: | G09G3/30;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 美国加利福尼亚州,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无基板 柔性 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种无基板显示装置,包括:
阻挡堆叠件,包括多层无机阻挡膜和多层聚合物膜,其中所述无机阻挡膜和所述聚合物膜交替设置;
薄膜晶体管(TFT)器件层,设置在所述阻挡堆叠件上;
显示介质层,设置在所述薄膜晶体管器件层上;以及
封装层,设置在所述显示介质层上,
其中所述无机阻挡膜中的一个设置在所述阻挡堆叠件的与所述封装层相对的最外层,并且所述显示装置是无基板的。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:所述无机阻挡膜包括金属、金属氧化物、金属氮化物、旋涂玻璃、旋涂电介质、硅氧化物、硅氮化物或硅碳化物中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:所述聚合物膜包括聚酰亚胺、聚降冰片烯、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酯、丙烯酸聚合物或尼龙中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:所述无机阻挡膜的厚度在10nm至10μm的范围。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:所述聚合物膜的厚度在100nm至100μm的范围。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:所述显示介质层包括有机发光二极管器件层、液晶层或电泳墨水层中的一个。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:所述薄膜晶体管器件层设置在所述无机阻挡膜之一上。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括设置在所述阻挡堆叠件的与所述封装层相对的最外层的无机阻挡膜上的牺牲层或粘附控制层。
9.一种制造无基板显示装置的方法,所述方法包括:
在载体上形成阻挡堆叠件,所述阻挡堆叠件包括多层无机阻挡膜和多层聚合物膜,其中所述无机阻挡膜和所述聚合物膜交替设置,并且所述阻挡堆叠件的与所述载体相邻的膜是所述无机阻挡膜中的一个;
在所述阻挡堆叠件上形成薄膜晶体管(TFT)器件层;
在所述薄膜晶体管器件层上形成显示介质层;
在所述显示介质层上形成封装层;以及
从所述阻挡堆叠件移除所述载体。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述载体和所述阻挡堆叠件之间形成牺牲层,
其中,所述从所述阻挡堆叠件移除所述载体包括移除所述牺牲层的至少一部分。
11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述载体和所述阻挡堆叠件之间形成粘附控制层,
其中所述粘附控制层包括有机硅烷化合物层、六甲基二硅氮烷(HMDS)层或聚合物层、或其组合。
12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于:所述聚合物膜在300℃-450℃的温度形成。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于:所述薄膜晶体管器件层在高于300℃的温度形成。
14.一种无基板显示装置,包括:
阻挡堆叠件,包括多层无机阻挡膜和多层聚合物膜,所述无机阻挡膜和所述聚合物膜交替设置,所述聚合物膜的一第一聚合物膜设置在所述阻挡堆叠件的最下部;
薄膜晶体管(TFT)器件层,设置在所述阻挡堆叠件上;
显示介质层,设置在所述薄膜晶体管器件层上;以及
封装层,设置在所述显示介质层上,其中所述显示装置是无基板的。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其特征在于:所述无机阻挡膜包括金属、金属氧化物、金属氮化物、旋涂玻璃、旋涂电介质、硅氧化物、硅氮化物或硅碳化物中的一种或多种。
16.根据权利要求14所述的显示装置,其特征在于:所述聚合物膜包括聚酰亚胺、聚降冰片烯、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酯或尼龙中的一种或多种。
17.根据权利要求14所述的显示装置,其特征在于,还包括设置在所述第一聚合物膜的一侧上的与所述无机阻挡膜相对的牺牲层或粘合控制层。
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