[发明专利]用于读取电阻式存储器的恒定感测电流

权利要求书

1.一种读取电阻式存储器位单元的方法，所述方法包括：

在镜像晶体管的栅极处生成负载电压，其中所述镜像晶体管为二极管式连接且耦合至电流镜，其中所述电流镜供应不随工艺-电压-温度变化而变化的恒定电流；

通过将所述镜像晶体管的栅极连接至数据负载晶体管的栅极来向所述数据负载晶体管提供所述负载电压以使得所述恒定电流被镜像为流过所述电阻式存储器位单元的感测电流来生成数据电压，所述数据负载晶体管耦合至所述电阻式存储器位单元；

将所述镜像晶体管的栅极与耦合至参考单元的参考负载晶体管的栅极连接以向所述参考负载晶体管提供所述负载电压以使得所述恒定电流被镜像为流过所述参考单元的参考电流；

在耦合至二极管式连接的参考钳位晶体管的第一端子的共用节点处导出参考电压，所述参考钳位晶体管耦合至所述参考单元，其中所述参考钳位晶体管的第二端子以及栅极彼此连接；以及

将所述共用节点与串联耦合至所述电阻式存储器位单元的数据钳位晶体管的栅极耦合。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括将所述镜像晶体管耦合至电压生成器的负载晶体管，以及从所述电压生成器的负载晶体管的栅极导出负反馈电压。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括使用所述负反馈电压来驱动耦合至所述数据负载晶体管的负反馈数据晶体管以及耦合至所述参考负载晶体管的负反馈参考晶体管的栅极。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括基于所述数据电压与所述参考电压的比较来确定所述电阻式存储器位单元的电阻值或逻辑值。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述比较的结果不随工艺-电压-温度变化而变化。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电阻式存储器位单元为磁阻式随机存取存储器(MRAM)位单元或者磁性隧道结(MTJ)。

7.一种用于存储器的装置，包括：

电阻式存储器位单元；

负载电压生成器，其被配置成生成负载电压，所述负载电压生成器包括电流镜以及耦合至所述电流镜的镜像晶体管，其中所述镜像晶体管为二极管式连接并且所述负载电压在所述镜像晶体管的栅极处生成，其中所述电流镜被配置成供应不随工艺-电压-温度变化而变化的恒定电流；

数据负载晶体管，其耦合至所述电阻式存储器位单元，其中所述数据负载晶体管的栅极连接至所述镜像晶体管的栅极以向所述数据负载晶体管提供所述负载电压，并且其中所述数据负载晶体管被配置成基于被镜像为通过所述电阻式存储器位单元的感测电流的所述恒定电流来生成数据电压；以及

参考负载晶体管，其耦合至参考单元，其中所述参考负载晶体管的栅极连接至所述镜像晶体管的栅极以向所述参考负载晶体管提供所述负载电压，以使得所述恒定电流被镜像为流过所述参考单元的参考电流；

二极管式连接的参考钳位晶体管，其耦合至所述参考单元，其中所述参考钳位晶体管的第一端子耦合至配置成提供参考电压的共用节点，并且其中所述参考钳位晶体管的第二端子以及栅极彼此连接；以及

数据钳位晶体管，其串联耦合至所述电阻式存储器位单元，其中所述共用节点耦合至所述数据钳位晶体管的栅极。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，包括耦合至所述镜像晶体管的电压生成器的负载晶体管，其中所述电压生成器的负载晶体管的栅极被配置成提供负反馈电压。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，进一步包括耦合至所述数据负载晶体管的负反馈数据晶体管以及耦合至所述参考负载晶体管的负反馈参考晶体管，其中所述负反馈数据晶体管和所述负反馈参考晶体管的栅极耦合至所述负反馈电压。

10.如权利要求7所述的装置，其特征在于，进一步包括配置成基于所述数据电压与所述参考电压的比较来确定所述电阻式存储器位单元的电阻值或逻辑值的逻辑。