[发明专利]包含离子转移聚合物的复合膜及其制备方法

权利要求书

1.一种复合膜，包括两个或更多个含有离子转移聚合物的聚合物层，

其中，所述聚合物层包括：包含离子转移聚合物的第一聚合物层；以及

设置在所述第一聚合物层上并且具有离子转移聚合物和功能添加剂粒子的第二聚合物层，和

第四聚合物层，第四聚合物层设置在与其上设置有所述第一聚合物层的所述第二聚合物层的表面相对的表面上，其中，所述第四聚合物层包含离子转移聚合物，并且

所述功能添加剂粒子是含硅元素粒子、氧化石墨粒子、金属粒子和金属氧化物粒子中的至少一种，

其中，基于所述第二聚合物层的总重量，所述功能添加剂粒子的含量为30重量％以上且为80重量％以下，

其中，所述第二聚合物层的厚度为60μm以上且为150μm以下。

2.根据权利要求1所述的复合膜，其中，所述第一聚合物层与所述第二聚合物层接触。

3.根据权利要求1所述的复合膜，其中，所述第二聚合物层位于距离所述复合膜的上表面或下表面的所述复合膜的厚度的10％以上且90％以下的范围内。

4.根据权利要求1所述的复合膜，还包括：

第三聚合物层，第三聚合物层设置在与其上设置有所述第二聚合物层的所述第一聚合物层的表面相对的表面上，

其中，所述第三聚合物层具有离子转移聚合物和功能添加剂粒子。

5.根据权利要求4所述的复合膜，其中，所述第二聚合物层的所述功能添加剂粒子与所述第三聚合物层的所述功能添加剂粒子彼此组分不同。

6.根据权利要求1所述的复合膜，其中，所述功能添加剂粒子的直径为1nm以上且为100μm以下。

7.根据权利要求1所述的复合膜，其中，所述含硅元素粒子是硅粒子、二氧化硅粒子或具有磺酸基的二氧化硅粒子。

8.根据权利要求1所述的复合膜，其中，所述金属粒子或所述金属氧化物粒子包括Ag、Ni、Cu、Ti、Pt和它们的氧化物中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的复合膜，其中，所述聚合物层的至少一个层包含两种或更多种彼此不同的离子转移聚合物。

10.根据权利要求1所述的复合膜，其中，在所述聚合物层中相邻的聚合物层中包含的所述离子转移聚合物彼此相同或不同。

11.根据权利要求4所述的复合膜，其中，所述第二聚合物层和所述第三聚合物层具有所述功能添加剂粒子在所述复合膜的各个厚度方向上的浓度与在其它部分中的浓度不同的部分。

12.根据权利要求4所述的复合膜，其中，在所述第二聚合物层和所述第三聚合物层中，所述功能添加剂粒子的浓度在各个厚度方向上逐渐变化。

13.根据权利要求1所述的复合膜，其中，所述离子转移聚合物包括选自烃的离子交换树脂；氟类离子树脂；以及阴离子树脂中的一种或多种。

14.一种电化学电池，包括：

负极；

正极；以及

设置在所述负极和所述正极之间的根据权利要求1至13中的任意一项所述的复合膜。

15.根据权利要求14所述的电化学电池，其中，所述电化学电池是燃料电池或氧化还原液流电池。