[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580051552.8 申请日: 2015-01-22
公开(公告)号: CN107836037B 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 池田侑一郎;小谷宪 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L21/822;H01L27/04
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;王娟娟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,具有:

半导体芯片,其包含第1内部电路、第2内部电路和开关电路部,具有形成有第1电极和第2电极的主面;

第1外部端子,其配置在所述半导体芯片的周围;

第1导线,其将所述第1电极和所述第1外部端子电连接;

第2导线,其将所述第2电极和所述第1外部端子电连接;以及

封固体,其用树脂将所述半导体芯片、所述第1导线、所述第2导线封固,

所述半导体器件的特征在于,

所述第2电极与所述第2内部电路电连接,能够在所述第2内部电路与所述第2电极之间传递信号,

所述开关电路部是能够设定第1状态和第2状态的电路,其中,在所述第1状态下,能够在所述第1内部电路与所述第1电极之间传递信号,在所述第2状态下,不能在所述第1内部电路与所述第1电极之间传递信号,

在所述半导体器件的工作过程中,所述开关电路部被固定于所述第2状态。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,

在所述第1外部端子与所述半导体芯片之间,经由所述第2电极及所述第2导线传递信号,但不经由所述第1电极及所述第1导线传递信号。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,

所述半导体芯片包含存储电路部,

所述存储电路部与所述开关电路部电连接,

基于所述存储电路部中存储的信息,所述开关电路部被固定于所述第2状态。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,

所述开关电路部包含控制电路部和与所述第1电极连接的第1输入输出电路部,

基于所述存储电路部中存储的所述信息,通过所述控制电路部对所述第1输入输出电路部进行控制,由此,所述开关电路部被固定于所述第2状态。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,

所述半导体芯片还包含译码电路部,

通过所述译码电路部将所述存储电路部中存储的所述信息转换成信号,并将由所述译码电路部转换出的所述信号向所述控制电路部输入,基于输入到所述控制电路部的所述信号,所述控制电路对所述第1输入输出电路部进行控制,由此,所述开关电路部被固定于所述第2状态。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还具有:

形成在所述半导体芯片的所述主面上的第3电极;

配置在所述半导体芯片的周围的第2外部端子;以及

将所述第3电极和所述第2外部端子电连接的第3导线,

所述第3电极与所述半导体芯片的第3内部电路电连接,能够在所述第3内部电路与所述第3电极之间传递信号,

在俯视下,所述第1电极、所述第2电极和所述3电极沿着所述半导体芯片的所述主面的第1边配置,

所述第1电极配置在所述第2电极与所述第3电极之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,还具有:

形成在所述半导体芯片的所述主面上的第4电极;

配置在所述半导体芯片的周围的第3外部端子;以及

将所述第4电极和所述第3外部端子电连接的第4导线,

所述第4电极与所述半导体芯片的第4内部电路电连接,能够在所述第4内部电路与所述第4电极之间传递信号,

在俯视下,所述第4电极沿着所述半导体芯片的所述主面的所述第1边配置,

所述第2电极配置在所述第4电极与所述第1电极之间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,

还具有形成在所述半导体芯片的主面上的多个第5电极,

在俯视下,所述多个第5电极沿着所述半导体芯片的所述主面的所述第1边配置,

所述多个第5电极配置在所述第1电极与所述第2电极之间以及所述第1电极与所述第3电极之间。

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