[发明专利]启动电路有效

专利信息
申请号: 201580051556.6 申请日: 2015-08-31
公开(公告)号: CN106716833B 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 梶田徹矢 申请(专利权)人: 阿自倍尔株式会社
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;G05F3/26
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 肖华
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 启动 电路
【说明书】:

以串联连接的P沟道MOS晶体管(P5)、P沟道MOS晶体管(P6)、以及N沟道MOS晶体管(N3)的电路作为电流路径(S3)。在恒流电路(100)启动后,使N沟道MOS晶体管(N3)导通,使动作电流(Ix)流入电流路径(S3),从而使N沟道MOS晶体管(N4)截止,切断启动电流(Is)。在启动电流(Is)切断后,由节点(V5)的电压(恒流电路(100)动作时的偏压)控制P沟道MOS晶体管(P6)的栅极电压,减小P沟道MOS晶体管(P5)的漏极‑源极间的电压(Vds),从而限制在电流路径(S3)流动的动作电流(Ix)。

技术领域

发明涉及在电源电压供给开始时对生成恒定电流的恒流电路供给启动电流的启动电路。

背景技术

一直以来,在使用由于电流镜的源电阻所导致的电位差的恒流电路(恒流源)中,为了在电源电压供给开始时使其可靠地启动,设置启动电路,将启动电流从该启动电路供给至恒流电路。

〔向恒流电路供给启动电流的必要性〕

图5示出了使用由于电流镜的源电阻所导致的电位差的恒流电路的一例。该恒流电路101由N沟道MOS晶体管N1、N2,P沟道MOS晶体管P1、P2,以及电阻R1构成。在电源电压VDD的供给导线L1与接地导线L2之间,N沟道MOS晶体管N1、P沟道MOS晶体管P1以及电阻R1串联连接而形成第1电流路径S1,N沟道MOS晶体管N2与P沟道MOS晶体管P2串联连接而形成第2电流路径S2。

另外,在该恒流电路101中,N沟道MOS晶体管N1和N2的栅极彼此连接。P沟道MOS晶体管P1和P2的栅极彼此连接。N沟道MOS晶体管N2的漏极与栅极相互连接。P沟道MOS晶体管P1的漏极与栅极相互连接。

根据这样的电路构成,恒流电路101中形成有反馈电路,该反馈电路通过由N沟道MOS晶体管N1和N2构成的第1电流镜电路以及由P沟道MOS晶体管P1和P2构成的第2电流镜电路,使相同值的电流I流入第1电流路径S1和第2电流路径S2。以下,将流入第1电流路径S1的电流I称为“左侧电流镜电流IL”,将流入第2电流路径S2的电流I称为“右侧电流镜电流IR”。

在该恒流电路101中,以例如左侧电流镜电流IL和右侧电流镜电流IR稳定在0.5μA的方式,选择N沟道MOS晶体管N1和N2的晶体管尺寸以及电阻R1的电阻值。但是,如图6所示,在恒流电路101中,在电源电压VDD从零伏特的点启动时,除了在左侧电流镜电流IL与右侧电流镜电流IR相等之处稳定以外,在都没有电流流入的电流零点也有稳定点。在图6中,将在左侧电流镜电流IL与右侧电流镜电流IR相等之处稳定的稳定点表示为稳定点A,将都没有电流流入的电流零点表示为稳定点B。

通常,由于噪声、两个电流路径S1、S2的平衡,在电流零点稳定极为少见。但是,由于温度、工序、电源等条件,存在着在电流零点稳定的可能性,恒流电路101一旦在电流零点稳定的话,则不会再次上升。因此,仅在向恒流电路101的电源电压VDD的供给开始时,需要通过使电流强制地流动至N沟道MOS晶体管N2或者P沟道MOS晶体管P1,上升至稳定点A为止。用上升至该稳定点A的电流称为“启动电流”。另外,供给该启动电流的电路称为“启动电路”。

〔现有的启动电路〕

〔现有例1〕

在图7中示出了设置有现有的代表性的启动电路201的恒流电路102(现有例1)。

在该例中,恒流电路102由P沟道MOS晶体管P1、P2,N沟道MOS晶体管N1、N2,以及电阻R1构成。串联连接的P沟道MOS晶体管P1、N沟道MOS晶体管N1以及电阻R1在电源电压VDD的供给导线L1和接地导线L2之间形成第1电流路径S1。串联连接的P沟道MOS晶体管P2与N沟道MOS晶体管N2在电源电压VDD的供给导线L1和接地导线L2之间形成第2电流路径S2。

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