[发明专利]用于通过经由OTP元件的冗余分配在突发刷新中对存储器进行系统内修复的方法和装置

权利要求书

1.一种用于修复具有冗余电路的随机存取存储器(RAM)的方法，包括：

接收出错信息，其中所述出错信息标识所述RAM的失效地址；以及

响应于所述出错信息，对所述冗余电路应用一次性编程，并且在对所述冗余电路应用所述一次性编程之时将所述RAM的内容维持在有效状态。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述出错信息包括标识所述冗余电路的目标区域的信息，并且其中所述冗余电路的所述目标区域对应于所述失效地址。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对冗余电路应用所述一次性编程包括对所述冗余电路的所述目标区域的至少一部分进行一次性编程，并且在对所述目标区域的至少一部分进行一次性编程之时将所述RAM的内容维持在有效状态。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，应用所述一次性编程是所述一次性编程的第一迭代，其中所述一次性编程的第一迭代对所述目标区域的至少第一部分进行编程，并且其中所述方法还包括：

对所述冗余电路的所述目标区域的至少第二部分应用所述一次性编程的第二迭代。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次性编程是对所述冗余电路的与所述失效地址的至少一部分相对应的至少一部分进行编程的一次性编程的迭代，并且其中所述方法还包括：

应用对所述冗余电路的与所述失效地址的至少另一部分相对应的至少另一部分进行编程的一次性编程迭代的另一次迭代。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括在将所述RAM的内容维持在有效状态的同时重复对所述冗余电路应用一次性编程的另一次迭代，直到满足终止条件。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述终止条件包括完成编程条件。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在确定满足所述完成编程条件之际，测试对所述失效地址的修复；以及

在测试对所述失效地址的修复的结果为否定之际，生成失败修复报告。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述完成编程条件在确定已经对所述冗余电路的与所述失效地址相对应的所有部分应用了所述一次性编程之际被满足。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括验证另一个一次性编程对所述冗余电路的每一次应用，其中所述终止条件还包括检测到所述验证的失败。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括响应于检测到所述验证的失败，生成失败修复报告。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

检测所述RAM的存取错误；以及

至少部分地基于检测到所述RAM的存取错误，生成所述出错信息，其中所述出错信息包括标识所述冗余电路的目标区域的信息。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

检测与所述RAM的存取相关联的错误，并且作为响应，确定所述错误是否满足用于调用对所述RAM的修复的准则；以及

至少部分地基于确定所述错误满足用于调用对所述RAM的修复的准则，生成所述出错信息。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述用于调用对所述RAM的修复的准则包括多位错误。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述用于调用对所述RAM的修复的准则包括与所述RAM中的地址相关联的重复错误。

16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述出错信息的至少一部分加载到与所述RAM相关联的存储器寄存器中。

17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括：

与生成所述出错信息相关联地，向存储器控制器发送来自所述RAM的所述错误的通知。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，向所述存储器控制器发送来自所述RAM的所述错误的通知是通过所述RAM与所述存储器控制器之间的直接反向通道来发送的。