[发明专利]固态成像元件、制造方法以及电子设备有效
| 申请号： | 201580051705.9 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN107078137B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 中敷领崇;北野良昭;西村雄二;板桥浩一;千叶亮;滝田阳介;石川充;神脇丰美;关勇一;下地诚也;大塚洋一;西孝文 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李晗;曹正建 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 成像 元件 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置，包括：
各像素的微透镜；
扩散孔，其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间，所述扩散孔被无机薄膜覆盖；以及
第一防反射薄膜，其在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上形成，所述第一防反射薄膜具有比所述微透镜高的折射率，
其中，所述扩散孔的宽度等于或小于可见光的波长。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括
滤色器，设置在所述微透镜下方，
其中所述扩散孔形成在所述滤色器的凹陷部分中。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置，还包括
遮光部分，其设置在彼此相邻的所述像素的所述滤色器之间的部分下方。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括
第二防反射薄膜，其设置在所述第一防反射薄膜上，
其中所述无机薄膜是与所述第二防反射薄膜相同的薄膜。
5.一种制造固态成像装置的方法，所述固态成像装置包括：
各像素的微透镜；
扩散孔，其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间，所述扩散孔被无机薄膜覆盖；以及
第一防反射薄膜，其在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上形成，所述第一防反射薄膜具有比所述微透镜高的折射率，
其中，所述扩散孔的宽度等于或小于可见光的波长。
6.一种电子设备，包括：
各像素的微透镜；
扩散孔，其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间，所述扩散孔被无机薄膜覆盖；以及
第一防反射薄膜，其在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上形成，所述第一防反射薄膜具有比所述微透镜高的折射率，
其中，所述扩散孔的宽度等于或小于可见光的波长。
7.一种固态成像装置，包括：
各像素的微透镜；
扩散孔，其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间；以及
防反射薄膜，其在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上形成，其中，所述扩散孔的宽度等于或小于可见光的波长。
8.一种制造固态成像装置的方法，所述固态成像装置包括：
各像素的微透镜；
扩散孔，其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间；以及
防反射薄膜，其在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上形成，其中，所述扩散孔的宽度等于或小于可见光的波长。
9.一种电子设备，包括：
各像素的微透镜；
扩散孔，其形成在彼此相邻的所述像素的所述微透镜之间；以及
防反射薄膜，其在所述微透镜的除了所述扩散孔之外的表面上形成，其中，所述扩散孔的宽度等于或小于可见光的波长。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
