[发明专利]成膜方法、真空处理装置、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件、半导体电子元件的制造方法、半导体电子元件、照明装置

权利要求书

1.一种溅射法，使用真空处理装置在基板上形成纤锌矿型结构的+c极性的外延膜，其中，该真空处理装置具备：

真空容器，其能够进行真空排气；

加热器，其将所述基板保持在所述真空容器中，并且所述加热器内置有能够将由所述加热器保持的所述基板加热至任意的温度的加热器电极；

靶电极，其设置在所述真空容器内，能够安装靶；

高频电源，其经由所述靶电极向所述靶输入高频电力；

电极部，其配置在由所述加热器保持的所述基板的周围，形成返回路径的一部分，该返回路径是从所述高频电源输入的高频电力向接地返回的路径；以及

阻抗调整部，其配置在所述电极部和所述接地之间，用于调整所述电极部的阻抗，并且形成所述返回路径的一部分，

所述溅射法的特征在于，包括以下工序：

配置工序，在所述真空容器中将所述电极部以与所述加热器分离规定距离的方式进行配置，以使得所述电极部的背面与所述加热器的基板对置面分离规定距离；

基板输送工序，使所述基板以与所述加热器的基板对置面分离所述规定距离地保持的方式保持在所述电极部上；

成膜工序，在被保持在所述电极部上的所述基板上形成纤锌矿型结构的+c极性的外延膜；以及

阻抗调整工序，在所述成膜工序时，调整所述阻抗调整部使得所述电极部的阻抗成为规定的值，

其中，在所述阻抗调整工序中，使用设置于所述靶电极与所述电极部之间的传感器来测定在所述靶电极中感应出的高频电压的第一电压及所述电极部中感应出的高频电压的第二电压，并基于高频电压的所述第一电压和所述第二电压来调整所述阻抗调整部中包含的可变电容器的电容。

2.根据权利要求1所述的溅射法，其特征在于，

还具有基板加热工序，在该基板加热工序中，利用所述加热器将通过所述基板输送工序保持在所述电极部上的所述基板加热至任意的温度，

在所述成膜工序中，在通过所述基板加热工序加热后的所述基板上形成纤锌矿型结构的+c极性的外延膜。

3.根据权利要求2所述的溅射法，其特征在于，

所述电极部以与所述基板的靠重力方向下侧的面抵接的状态保持所述基板。

4.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

具有根据权利要求1所述的溅射法。

5.一种半导体电子元件的制造方法，其特征在于，

具有根据权利要求1所述的溅射法。